サンケン電気

６ 【研究開発活動】経営理念の一つである「パワーエレクトロニクスとその周辺領域を含めた最適なソリューション提供」に基づき、当連結会計年度における研究開発活動を進めてまいりました。パワーモジュール、パワーデバイスの領域での成長戦略の実現及び技術マーケティングの確立と効率的な開発マネジメントによる新製品開発の促進を進めるとともに、連結子会社にも研究開発部門を置き、グループを挙げて研究開発に取り組んでおります。当連結会計年度における研究開発費の総額は売上高の10.26％に当たる12,484百万円であります。 製品開発における技術マーケティングの導入により成長市場へのシフトを担う製品開発に注力するとともに、前工程となる半導体素子プロセスから、後工程となる実装、パッケージ技術のプラットフォーム化（SPP: Sanken Power-electronics Platform）を進めることにより、設計改革、業務改革を推進し開発スピードのアップを図っております。当連結会計年度における研究開発の主な成果は次のものがあります。 ・次世代MICプロセスの採用によりリードタイムを短縮化するとともに、H side OCP（過電流保護機能）追加による二次的な破壊拡大の防止、及びLS（ローサイドパワーIGBTエミッタ）–COM（コモン）間ESD保護素子追加によるセット組立時の静電気破壊リスクの回避を行った白物家電用モータドライバIC SIM1シリーズを開発した。・新構造により低ノイズでVFスイッチングオフ特性の優れる新しいプラットフォームの高速リカバリダイオード（FRD）であるBlueFRD1を開発した。・高耐圧電源ICの起動回路用LDMOS（Lateral Double-diffused MOSFET）において、ESD保護素子機能を素子内に統合することでチップ面積の増加を最小限に抑えながら、高いESD耐量を有する新たなLDMOSを開発。このLDMOSは、製品端子であるStart-up端子に接続されるため、製品のESD耐性強化につながり、より安全で信頼性の高い高耐圧電源IC製品の実現に大きく寄与する。・近赤外光は人間の眼に見えにくく、照明やディスプレイでは不要とされてきたが、植物育成や分光分析の分野では重要な光であり、LEDを用いた検討がなされている。この近赤外発光する蛍光体を用いた様々なLEDを開発した。・電動化や自動運転化、コネクテッド化など自動車は大きな変革期に入っており、これに伴い自動車のE/Eアーキテクチャは、機能分散型からドメイン型、ゾーン型へと急激な変化が起こっている。ゾーン型のE/Eアーキテクチャでは、従来のメカリレーやヒューズを用いた配電システムからIPD等の半導体を用いた配電システムへの切り替えが見込まれることから、次世代ゾーン型配電システムに必要となる機能を盛り込んだ次世代車載用IPD“SIP1シリーズ”を開発した。・大型TVやEV車用途の高圧バッテリ充電器向けのLLC電源では、電源スリム化のためトランスの小型化及びパワー素子のヒートシンクのレス化・小型軽量化が求められている。この要求に応えるためのソリューションとして、電源二次側をフルブリッジ構成とし、高出力電圧・低電流化を行い、さらにパワー素子の温度を下げるため同期整流化を行い、効率の良いスイッチング制御を行うための新しい同期整流コントローラICを開発した。・スイッチング電源の設計計算は、使用ICへの理解やトランス設計・回路設計等の知識が必要であり、電源設計を容易にすることは、その電源ICの採用機会を拡大する効果が期待できるため、当社ICを使用した電源設計支援ツール「Sanken STR Pro」を開発した。・スマートファクトリー化の取り組みである目視検査の画像化拡大に伴い、さらなる生産性向上、画像検査精度向上、品質管理強化、コスト削減など、画像検査システムに求められる要求が高まる中、これらの要求に柔軟に対応することをコンセプトとし、当社独自の内製画像検査システム「AI-fact」を開発した。・スマートファクトリー推進における自動流動を実現するに当たり、設備のパラメータデータや稼働データ及び品質データなどを吸い上げ、チェックシートへの自動転記やその結果から稼働可否を判断することが必須となる。しかし、データ収集 (IoT) 非対応の設備や一部データについては設備仕様上、データの吸い上げができない状態であるが、こうした状態への対応を可能とする自動流動可能な生産システム基盤を構築した。 なお、SiCデバイスに関しては、2023年度に採択されたNEDO先導研究プログラム『SiCスマートパワーIC技術の研究開発』を産業技術研究所と共同で遂行中であり、SiCの特性を最大限引き出すSiC-IC技術の開発を行っております。GaNデバイスに関しては、NEDO基盤技術研究促進事業で得られたGaN on Si技術を活かし、新たに買収したパウデック社所有のPSJ技術と融合させることで、独自のデバイス構造を開発し、早期に市場投入できるよう対応中です。また、並行してGaN基板を用いた縦型デバイスの検討を、名古屋大学中心に進められているGaNコンソーシアムに参画し行っております。

６ 【研究開発活動】当連結会計年度における当社グループの研究開発活動といたしましては、事業ドメインを「Power Electronics」と定め、研究開発活動を進めてまいりました。パワーモジュール、パワーデバイス、センサーの領域での成長戦略の実現及び技術マーケティングの確立と効率的な開発マネジメントによる新製品開発の促進を進め、連結子会社にも研究開発部門を有し、グループを挙げて研究開発に取り組んでおります。当連結会計年度における研究開発費の総額は売上高の13.53％に当たる31,835百万円であります。 製品開発における技術マーケティングの導入により成長市場へのシフトを担う製品開発に注力するとともに、共通コンセプト（SPP: Sanken Power-electronics Platform）による設計改革、業務改革を推進し開発スピードのアップを図っております。当連結会計年度における研究開発の主な成果は次のものがあります。 ・技術開発力、提案力のさらなる向上のため、新たな技術教育体系を構築、社内の技術学校として「NEXUSスクール」を立ち上げ。・高圧三相ブラシレスDCモータの小型化に伴い、これまで市場で認められてきた小容量モータドライバ用SXシリーズの機能を伝承しつつ、起動時180度変調方式を採用し、市場のターゲットコストを実現できるセンサー付き正弦波変調方式を搭載したモータ制御IC SIM262xMシリーズを開発。・IGBTとDiodeの２つのデバイスそれぞれの構造を最適化し、当社旧世代品に比べ大幅に特性改善した第一世代RC-IGBTを開発。・IPM製品に内蔵されるモータドライバIC向けに、低コストの高耐圧BCDプロセス、SG7.5HVプロセスを開発。・ｘEVの高電圧入力に対応した車載用フライバックコンバータコントロールIC YH2102/YH2103を開発。・車載メインインバータ用IGBTチップとして、従来のFS-IGBTより大幅な特性改善を得ることができるBlueIGBT7のプロセスを確立。・PFC制御部とLLC制御部を１パッケージに統合し、端子共通化とICへの機能取り込みを行うことで、高い連携性と大幅な部品点数削減を実現したPFC＋LLCコンボコントローラIC SSC4S910シリーズを開発。・採用したセンサレス制御により、スポークモータなどで発生する起動時のモータ音鳴りを低減、薄型のSOP36パッケージに制御用IC、ゲート駆動用IC、６石のブートストラップダイオードを内蔵することで、駆動回路の実装部品点数を大幅に削減、また、モジュール化により駆動回路の信頼性向上に寄与するスポークモータ向けモータドライバIPM SX68144Mを開発。・絶対最大定格1200Vで産業機器の３相モータの駆動に最適、出力スイッチング素子、プリドライバ、制限抵抗付きブートストラップダイオード及び温度検出用サーミスタを１パッケージにした産業機器向けモータドライバIPM SAM212M10BF1を開発。・PFC部は連続モードに対応し入力電圧や負荷に応じて周波数を最適制御することで軽負荷から重負荷まで高効率な電源システムが実現可能、LLC部はオートスタンバイ機能を内蔵することで周辺部品の削減により低コスト化が可能なフルデジタル制御の電源IC MD6759を開発。・Wide入力で最大60Wまでカバー、低待機電力対応、充実した保護機能により構成部品が少なくコストパフォーマンスの高い電源システムを容易に構成できるPWM型スイッチング電源用パワーIC STR-W6000SAシリーズを開発。・過電圧保護にラッチタイプを追加することで屋内外全ての照明用途に対応可能な高力率・高効率LED照明用コントローラIC LC5581LSを開発。・高圧バッテリーとインバータ回路の間に接続される遮断スイッチの駆動に最適、パッケージはHQFN32ウェッタブルフランクを採用しており、視認性が良く、省スペース化に適し、ローサイド出力のコンタクタドライバを３チャンネル搭載したIC LS1908を開発。・漏れ電流が少なく、かつ、順方向損失の低減、電源効率の向上と高周波化を実現する電源２次側整流ダイオード SJPEシリーズを開発。・３相インバータ回路用に低オン抵抗NチャネルパワーMOSFETを６個内蔵、小型SIP12パッケージを採用し、小型化が求められる家電製品などのファンモータの駆動に最適な３相ブラシレスDCモータ向けMOSFETアレイ SMA5145, SAM5146を開発。・光透過率を抑えたパネルを使用したブラックアウトデザインに対応、従来LED光源の約２～３倍（当社比）の高輝度で発光可能、ルームランプ・マップランプなどの高輝度車室内照明で要求されるアプリケーションに対応した高輝度2835LED SEP1WC1L19DTAを開発。・車載標準小型サイズで実装基板の小型化に貢献、センターチップレイアウト基板を採用することで従来品より指向性を改善し、光学設計の簡易化に貢献する車載インテリアスイッチ用1608パッケージ白色LED SECE1**A1Y***シリーズを開発。 なお、SiCデバイスに関しては、2023年度のNEDO先導研究プログラムで『SiCスマートパワーIC技術の研究開発』が産業技術研究所との共同提案で採択されました。本研究内で、現状Si製のゲートドライバーをSiC化することで、SiCモジュールの高速・高信頼性化を検討する計画です。GaNデバイスに関しては、NEDO基盤技術研究促進事業で得られたGaN on Si技術を活かし、横型HEMTデバイスのカスタム製品を少量出荷中です。並行して、GaN基板を用いた縦型デバイスの検討を、名古屋大学中心に進められているGaNコンソーシアムに参画し行っております。

６ 【研究開発活動】当社グループは事業ドメインを「Power Electronics」と定め、この分野において一段上の企業像を目指すべく研究開発活動を進めております。基本方針としては、エコ・省エネ、グリーンエネルギー市場を核とした成長戦略の実現及び技術マーケティングの確立と効率的な開発マネジメントによる新製品開発の促進を掲げ、連結子会社にも研究開発部門を有し、グループを挙げて研究開発に取り組んでおります。当連結会計年度における研究開発費の総額は売上高の11.99％に当たる27,024百万円であります。 半導体デバイス事業においては、製品開発における技術マーケティングの導入により成長市場へのシフトを担う製品開発に注力するとともに、共通コンセプトによる設計改革、業務改革を推進し開発スピードのアップを図っております。また、成長著しい新興国向けの汎用品の製品開発にも積極的に取り組んでおります。当連結会計年度における研究開発の主な成果は次のものがあります。 ・現行品に比べ大幅にノイズ特性を改善し、多様なアプリケーション対応が可能な産業機器向けモータドライバIPM SAM212M10BF1を開発。・従来のGen.2構造に対しセルの微細化、N drift層と基板の低抵抗化により、単位面積当たりのオン抵抗を2.5mΩcm2に低減し、チップサイズを約24％縮小、高耐圧・高効率の材料SiC（シリコンカーバイド）を用いた第三世代(Gen.3)1200V SiC-MOSFETを開発。・トレンチ設計、不活性領域の外周構造及びSub層を見直すことで、低IRを維持したまま低VF化とプロセス工程削減を可能にした第二世代(Gen2)トレンチSBDを開発。・車載ADAS用デジタルPMIC「MD6801」を用い、オフセット誤差並びに温特誤差を補正する手法をアナログ制御電源及びデジタル制御電源ともに構築し、高精度な電源システムを開発。・外部抵抗のみで変更可能な定電流制御機能と駆動電流の急速遮断機能を有し、高電圧、大電流用途のコンタクタの制御回路に最適なｘＥＶ高圧バッテリー用コンタクタドライバLS1908を開発。・Webカメラを用いたオンライン会議で使用するLED光源の分光強度分布による顔の印象に与える影響について検証し、光源開発を行う。・高電流密度化したFS-IGBTを搭載し高効率化を実現、放熱経路を見直し、DCB基板を採用することで放熱性を維持しつつ小型化、端子数と端子配置を最適化し、小型化と端子間絶縁性を両立させた高圧三相モータドライバIC SIM2-151を開発。・IPM用途に特化し、従来のプレーナ型MOSFETと比較して低オン抵抗化を行いつつ、スイッチング時のノイズ発生を抑えた新SJ-MOSFET構造のS2J-MOSFET(Soft Super Junction MOSFET)を開発。・出力スイッチング素子、プリドライバ、制限抵抗付きブートストラップダイオード及び温度検出用サーミスタを１パッケージとした、車載高圧補機システムの三相モータの駆動に最適な三相ブラシレスモータ用ドライバ SAM265M50AA1を開発。・臨界モードのPFC制御とLLCタイプの電流共振制御を内蔵しており、小型で高効率、かつ低ノイズな電源を提供、小型SSOP24パッケージに電流共振外れ検出機能など豊富な保護機能を集約し、安全性に優れた高品質な電源を容易に設計できる臨界モードPFC内蔵LLC共振電源用IC SSC4S913を開発。・低VF特性により低損失を実現、低IR化により高い熱暴走限界温度を確保し、熱設計が容易、汎用性の高いリード挿入パッケージであるTO-220Fを採用したスイッチング電源２次側整流ダイオード FMESシリーズを開発。・紫外成分を抑え、展示物を変色させにくい効果が期待でき、高い演色性が求められるタスクライト、美術館、博物館などの照明機器の光源にも使用可能な超高演色LEDデバイス SEP1AQ1L92LL / SEP1AQ1L92SSを開発。 なお、SiCデバイスに関しては、2023年度のNEDO先導研究プログラムで『SiCスマートパワーIC技術の研究開発』が産業技術研究所との共同提案で採択されました。本研究内で、現状Si製のゲートドライバーをSiC化することで、SiCモジュールの高速・高信頼性化を検討する計画です。GaNデバイスに関しては、NEDO基盤技術研究促進事業で得られたGaN on Si技術を活かし、横型HEMTデバイスのカスタム製品を少量出荷中です。並行して、GaN基板を用いた縦型デバイスの検討を、名古屋大学中心に進められているGaNコンソーシアムに参画し行っております。

５ 【研究開発活動】当社グループは事業ドメインを「Power Electronics」と定め、この分野において一段上の企業像を目指すべく研究開発活動を進めております。基本方針としては、エコ・省エネ、グリーンエネルギー市場を核とした成長戦略の実現及び技術マーケティングの確立と効率的な開発マネジメントによる新製品開発の促進を掲げ、連結子会社にも研究開発部門を有し、グループを挙げて研究開発に取り組んでおります。当連結会計年度における研究開発費の総額は売上高の11.58％に当たる20,341百万円であります。 半導体デバイス事業においては、製品開発における技術マーケティングの導入により成長市場へのシフトを担う製品開発に注力するとともに、共通コンセプトによる設計改革、業務改革を推進し開発スピードのアップを図っております。また、成長著しい新興国向けの汎用品の製品開発にも積極的に取り組んでおります。当連結会計年度における研究開発の主な成果は次のものがあります。 ・プラットフォーム技術SPP（Sanken Power-electronics Platform）で着手した新製品を完成させ、継続的に成長する高収益企業へ変換を行うと共に生産改革を実現させ、開発効率1/2とライン生産性２倍を目指した「ものづくり開発センター」を設立。・高放熱を実現できるDirect Bonded Copper (DBC) 基板と高電流密度化したField Stop IGBT (FS-IGBT)を採用することで、放熱性能を損なわずにパッケージサイズの小型化とパワー素子の低損失化を実現、また、端子数及び端子配置を最適化し、パターン占有面積削減、端子間距離不足の改善も実現した白物家電用モータドライバIC SIM2-151を開発。・Micro Controller Unit (MCU) をモータドライバICに内蔵することで、ロバストで高効率な特性を少ない開発工数で実現することを目的としたDigital制御IPM (SIM2652M)を開発。・前モデルと比較しパッケージサイズを30％縮小、絶縁距離確保、各品質要求へ対応し、IGBT, Diode, ゲートドライバICなど必要な部品を１つのパッケージに搭載した車載向けモータドライバIPM SAM265M30AA1 / SAM265M50AA1を開発。・制御回路が半導体微細化技術とデジタル制御化を進めた新しいソリューションで、電源の高効率化と部品削減、小型化を可能としたデジタル制御電源IC MD6753を開発。・蛍光体技術を応用し低波長域を低減、「低誘虫性能」及び「レジスト剤への影響低減」を示唆する特殊色LEDを開発。・小型化要件を実現するための高周波化スイッチング対応や機能安全性を取り込み、高耐圧・大電流に対応した車載用DC/DCコンバータIC MD4010を開発。・自動車・産業機器市場における高電圧大電流モータドライバの需要の高まりから、最大電圧1200V、最大電流50Aに対応するため、1200V高耐圧BCDプロセスであるSG7UHVプロセスを用いたMIC (Monolithic Integrated Circuit)を開発。・独自開発した技術を用いて、EMI（電磁干渉）の抑制に優れた効果を発揮するVFP (Vertical Field Plate) -MOSFETを開発。・従来品と比較し、低コストマイコンチップを使用、Bridgeless PFC制御と電流共振制御を内蔵したフルデジタル制御の電源IC MD6762 / MD6762Sを開発。・効率を向上するため動作モードを自動切替、充実した保護機能により構成部品が少なく、コストパフォーマンスの高い電源システムを容易に構成できるPWM型スイッチング電源用パワーIC STR6S161HXD を開発。・従来品と比較し、待機動作時のトランス音鳴り抑制機能を追加した高効率低ノイズ電源システム向け共振電源用IC SSC3S937を開発。・低損失、低リーク電流を実現し、汎用性の高い面実装パッケージTO-252を採用したトレンチ構造のショットキーバリアダイオード SPETシリーズを開発。・精肉用、鮮魚・青果用、総菜用の３種の食材の特性に応じてスペクトルを制御し、最適な光で食材を照らすことにより、よりおいしく見せることが可能な食品専用LEDを開発。 なお、SiCデバイスに関しては、NEDO先導研究プログラム内で産業技術研究所と共同で『高速スイッチング可能でタフなSiCモジュール技術開発』を実施完了いたしました。本成果を活用した高温度動作に於いても安定し、信頼性の高いモジュールの量産化の検討を進めております。Ganデバイスに関しては、NEDO基盤技術研究促進事業で得られたGan on Si技術を活かし、横型HEMTデバイスのカスタム製品を少量出荷中です。並行して、GaN基板を用いた縦型デバイスの検討を、名古屋大学中心に進められているGaNコンソーシアムに参画して行っております。 また、当社グループは、半導体デバイス事業及びパワーシステム事業でありますが、パワーシステム事業の全セグメントに占める割合が僅少であり、開示情報としての重要性が乏しいため、セグメント情報の記載を省略しております。

５ 【研究開発活動】当社グループは事業ドメインを「Power Electronics」と定め、この分野において一段上の企業像を目指すべく研究開発活動を進めております。基本方針としては、エコ・省エネ、グリーンエネルギー市場を核とした成長戦略の実現及び技術マーケティングの確立と効率的な開発マネジメントによる新製品開発の促進を掲げ、連結子会社にも研究開発部門を有し、グループを挙げて研究開発に取り組んでおります。当連結会計年度における研究開発費の総額は売上高の10.42%に当たる18,097百万円であります。 セグメントごとの研究開発活動を示すと次の通りであります。 (1) 半導体デバイス事業半導体デバイス事業においては、製品開発における技術マーケティングの導入により成長市場へのシフトを担う製品開発に注力するとともに、共通コンセプトによる設計改革、業務改革を推進し開発スピードのアップを図っております。また、成長著しい新興国向けの汎用品の製品開発にも積極的に取り組んでおります。当連結会計年度における研究開発の主な成果は次のものがあります。・ADコンバータとMCUを用いた数値演算によるフルデジタル制御により力率改善回路の高効率化を実現、ブリッジレスPFC制御と全波電流共振電源制御を１パッケージで制御可能なデジタル制御電源IC MD6751を開発・Siデバイスでは実現が難しいソリューションを可能にするため、材料物性に優れた化合物半導体材料を用いたトレンチ型SiC-MOSFETを開発・市場の高耐圧要求に応え1200V高耐圧BCDプロセスであるSG7UHVプロセスを開発・緻密な発電制御を行うための豊富な出力制御機能とモニター機能を有し、LIN通信を組み合わせることで様々な仕様のオルタネータを自由に制御することが可能となる汎用オルタネ―タ用レギュレータIC AR3004を開発・ツェナーダイオードとゲート抵抗を内蔵し、低飽和電圧と高エネルギー耐量を両立したイグナイタ用IGBT DGUシリーズを開発・顧客固有の大型パッケージ、機電一体型モジュールへの取り込みを狙い、シリコンチップ状態（ベアチップ）で品質を担保する大電流メジャーを適用したKGD(Known Good Die)製品を開発・素子構造に低濃度アノード及び粒子線照射によるキラーを用いることでリカバリ時のピーク電流を小さくするとともにリンギングの発生も抑制、高周波整流用途としてスイッチング特性に優れた低ノイズFRD FMXR-1206Sを開発・周辺部品の削減で電源の小型化を実現、電源待機時の低電流化や高効率化も可能とした、環境対応車両に搭載される低電圧入力かつ絶縁型の電源構築に最適なスイッチング電源IC SFA0006を開発・当社独自の位相制御技術を用いたACダイレクト方式により、小型・薄型、超低ノイズ、フリッカレスの特長を有し、デザイン性あるヒューマンインターフェース付電源内蔵照明モジュールを開発・照明に必要な機能をSOP28パッケージにオールインワンされたフルデジタル制御のLED照明用デジタル電源IC MD6721を開発・Bridgeless PFC制御と電流共振制御を内蔵したフルデジタル制御IC MD6751を開発・従来品に比べ、ホール素子入力対応の制御機能を取込んだことで高機能化し、出力素子にSJ-MOSを搭載することにより高耐圧・低損失化を実現した制御機能内蔵高圧三相モータドライバIC SX68120Mシリーズを開発・外付けのクランプ回路なしで点火コイルの駆動回路を構成、低飽和電圧特性のIGBTでセットの高効率化に貢献できるイグナイタ用IGBT DGU4020GR/DGU4520GRを開発・幅広い用途に向け4シリーズの電流定格と汎用性の高い３パッケージをラインアップ、低損失、低リーク電流を実現した高周波整流用600V低ノイズFRD XRシリーズを開発・電源電圧低下、過電流の保護機能を搭載、IGBTやMOS FETの駆動用シングルタイプの汎用ローサイドゲートドライバIC SSC4S701を開発・高効率LEDと専用電源を採用することで従来の電源内蔵型直管形LEDランプよりも発熱量を抑え、ヒートシンクを削減し、スリム化を実現したHf蛍光灯代替T8サイズ電源内蔵直管形LEDランプ NVL12P5シリーズを開発 なお、GaNデバイスに関しては、NEDO基盤技術研究促進事業（民間基盤技術研究支援制度）「電源用 GaN on Si 電子デバイスの研究」で得られたGaN on Si技術を活かし、HEMT構造の横型デバイスの量産中で、生産性改善の為、6inchプロセス技術の確立、HEMT素子特有の特性変動(電流コラプス変動)の選別技術を開発いたしました。並行して、バルクGaN基板を用いた縦型デバイスの検討を、名古屋大学中心に進められているGaNコンソーシアムに参画し行っております。 SiCデバイスに関しては、戦略的イノベーション創造プログラム（SIP）の高温実装技術開発を完了したしました。本成果を用い、SiC素子の性能を生かす車載分野向けモジュールの検討を社内にて開始しております。 半導体デバイス事業に係る当連結会計年度の研究開発費は17,010百万円であります。 (2) パワーシステム事業パワーシステム事業においては、グリーンエネルギーをキーワードに「発電・送配電・消費・蓄電」の分野への事業拡大を図るとともに、高効率変換技術を追求して継続的な新商品創出に取り組んでおります。また、デバイス部門との融合によりモジュール電源等の新しい領域の開拓を行ってまいります。さらにデバイス同様、共通コンセプトによる設計改革に取り組み、開発時間短縮と製品競争力向上に注力してまいります。当連結会計年度における研究開発の主な成果は次のものがあります。・従来品と同一外形で電力容量約1.5倍を実現した汎用電源SWJシリーズを開発・ファンレス―モジュール式構造の採用により、施工性が高く、省スペース、軽量で設置が容易な屋外用小型UPSを開発・低消費電力ICと電力制御技術により業界トップクラスの低待機電力と高効率化を実現、各国の省エネルギーに関する規制に準拠した通信・産機・OA機器、民生等に最適な汎用ACアダプタSEGシリーズを開発・携帯電話基地局のマクロセル用光張り出し無線装置向けRFアンプ用DC/DCコンバータ UR129Aを開発・パワーマルチプロセッシング方式の採用で従来は両立し得なかった省エネ・高効率運転と高品位電力を同時に実現し、発熱量も抑えランニングコストの低減が可能、また電源管理アプリケーションにも幅広く対応した小容量無停電電源装置 SMU-HGシリーズを開発 パワーシステム事業に係る当連結会計年度の研究開発費は1,086百万円であります。

５ 【研究開発活動】当社グループは事業ドメインを「Power Electronics」と定め、この分野において一段上の企業像を目指すべく研究開発活動を進めております。基本方針としては、エコ・省エネ、グリーンエネルギー市場を核とした成長戦略の実現及び技術マーケティングの確立と効率的な開発マネジメントによる新製品開発の促進を掲げ、研究開発に取り組んでおります。また、一部の連結子会社にも研究開発部門を設けております。当連結会計年度における研究開発費の総額は売上高の10.03%に当たる175億63百万円であります。 セグメントごとの研究開発活動を示すと次の通りであります。 (1) 半導体デバイス事業半導体デバイス事業においては、製品開発における技術マーケティングの導入により成長市場へのシフトを担う製品開発に注力するとともに、開発工程管理の強化により開発スピードのアップを図っております。また、成長著しい新興国向けの汎用品の製品開発にも積極的に取り組んでおります。当連結会計年度における研究開発の主な成果は次のものがあります。・デュアルフィードバック制御技術により２つの電源出力の個別制御を実現し、使用部品削減や基板面積の縮小を可能とした、フルデジタル制御デュアルフィードバック電流共振IC MD6701を開発・ホールセンサ不要のセンサレスベクトル制御を内蔵、部品の集約・高効率化を進め、省エネに貢献するエアコンファンモータ用小型モータドライバIC SX68200Mシリーズを開発・制御IC、ゲート駆動用IC、スイッチング素子を１パッケージ化することにより、小型軽量化・高信頼性化・高効率化を実現したプラグインハイブリッド車・電気自動車のバッテリー充電システムを構成するOBC（On Board Charger）に最適な製品、PFCモジュールSDE6530シリーズを開発・SiC-SBDの最大メリットである高速応答性を生かし、電流連続モードPFC回路整流/高速チョッパー回路整流に最適なFMPA-10565を開発・長期連続使用時に高いRiを保持、UV成分未含有のため美術館でも使用可能、青色励起方式による超高演色LED照明器具の製品化を実現・出力電流は5Aと大電流に対応、内蔵シーケンサにより少ない信号線で簡単にモータ制御が可能、単一電源での動作に対応した大電流二相ステッピングモータ駆動用IC SX723xMシリーズを開発・出力素子、プリドライブIC及び制限抵抗付きブートストラップダイオードを１パッケージとし、３シャント方式に対応したユニバーサル入力仕様で100W以下のモータ制御に最適な高圧三相モータドライバIC SIM6880Mを開発・シリアル通信で回転速度・パラメータを設定するだけで簡単にデジタルPID回転速度制御が行える三相ブラシレスDCモータ用正弦波駆動コントローラIC SI-6635Cを開発・フローティング・ドライブ回路内蔵、保護機能の充実と使用性の向上を図り、低ノイズで高効率な電源システムが容易に構成可能な電流共振IC SSC3S931を開発・電装システムの高圧化で市場が拡大している高圧電源や高圧補機モータ用で、AEC-Q100に準拠した高圧ハーフブリッジプリドライバIC SFA6001を開発・独自構造によりIGBT＋Diのワンチップ化を実現、IGBTの低損失化及び部品点数削減によりセットの高効率化に貢献し、フルスイッチ型のPFC回路に最適な650Vフィールドストップ型トレンチIGBT FGAシリーズを開発・独自のトレンチ構造で容量を低減し、低飽和で高速スイッチングを実現、また、低VF FRDを同梱することでセットの高効率化に貢献、PFC、溶接機などに最適な650Vフィールドストップ型トレンチIGBT FGF65A3L6Lを開発 なお、GaNデバイスに関しては、NEDO基盤技術研究促進事業（民間基盤技術研究支援制度）「電源用GaN on Si 電子デバイスの研究」で得られたGaN on Si 技術を活かし、HEMT構造の横型デバイスの量産中で、より低コスト化のため、歩留改善に取り組んでおります。バルクGaN基板を用いた縦型デバイスでは、JST研究成果展開事業（スーパークラスタープログラム）に参加し、横型デバイスを超える性能向上の検討を進めております。 SiCデバイスに関しては、戦略的イノベーション創造プログラム（SIP）の高温実装技術テーマにおいて、SiCデバイスの高耐熱実装実用化に向けた技術開発を進めております。並行して、NEDO「太陽光発電システム効率向上・維持管理技術開発プロジェクト／太陽光発電システム効率向上技術の開発／次世代長寿命・高効率ACモジュール開発」を受託開発しており、高効率・高信頼性のSiCモジュールの開発を進めております。 半導体デバイス事業に係る当連結会計年度の研究開発費は163億81百万円であります。 (2) パワーシステム事業パワーシステム事業においては、グリーンエネルギーをキーワードに「発電・送配電・消費・蓄電」の分野への事業拡大を図るとともに、高効率変換技術を追求して継続的な新商品創出に取り組んでおります。当連結会計年度における研究開発の主な成果は次のものがあります。・大きなピーク電力が必要な場合はフライホイールから負荷に電力を供給することでピークカットを行い、それ以外の期間でフライホイールに充電を行う、間欠負荷の平準化に対応したフライホイールUPSを開発・基板実装面積が省スペースで大電流40Aを供給可能、基幹通信装置LSI給電向けPOLコンバータBR220を開発・ファンレスで装置密閉型構造、小規模システムに最適で高効率・高パフォーマンス・小型軽量で簡単設置・簡単運転、安定した電力供給を実現した屋外用整流器SRF-48V-102を開発・最大変換効率98.8％、最大電力追従機能を４回路搭載しているため、パネルの向きや影による影響を軽減し、効率の良い電力取り込みが可能な分散型高圧太陽光発電所用パワーコンディショナPPS-333FA1/403FA1 を開発・業界トップクラスの効率で幅広い温度範囲に使用可能、電流共振回路・同期整流回路採用で高効率・低ノイズを実現した汎用スイッチング電源SWHシリーズに、産業機器向け320Wモデルを開発 パワーシステム事業に係る当連結会計年度の研究開発費は11億81百万円であります。

６ 【研究開発活動】当社グループは事業ドメインを「Power Electronics」と定め、この分野において一段上の企業像を目指すべく研究開発活動を進めております。基本方針としては、エコ・省エネ、グリーンエネルギー市場を核とした成長戦略の実現及び技術マーケティングの確立と効率的な開発マネジメントによる新製品開発の促進を掲げ、研究開発に取り組んでおります。また、一部の連結子会社にも研究開発部門を設けております。当連結会計年度における研究開発費の総額は売上高の10.08%に当たる159億98百万円であります。 セグメントごとの研究開発活動を示すと次の通りであります。 (1) 半導体デバイス事業半導体デバイス事業においては、製品開発における技術マーケティングの導入により成長市場へのシフトを担う製品開発に注力するとともに、開発工程管理の強化により開発スピードのアップを図っております。また、成長著しい新興国向けの汎用品の製品開発にも積極的に取り組んでおります。当連結会計年度における研究開発の主な成果は次のものがあります。・TinyDSP及びA/D変換器やコンパレータなど周辺機能との密接な連携により、デジタル制御電源に必要なリアルタイム処理を低遅延で実行、ゼロ時間でタスク切替えが出来る16ビット・プロセサ デジタル制御電源向けイベント・プロセシング・ユニットEPUを開発・過熱時に働く保護動作温度を抵抗１本で調整可能、仕様に合わせた設計が容易にでき、生産性の改善や自動実装化要求に応える表面実装型高圧三相モータドライバIC SX1Aシリーズを開発・IPM内部にサーミスタを搭載することで、より正確にパッケージ温度を測定することが可能、出力性能を最大限に発揮しながら、安全にモータの回転制御を行うことができる高圧三相モータドライバIC SCM3000シリーズを開発・Xコンデンサ放電機能を搭載し、無負荷時電力規制・効率規制・安全規格に適合した超低スタンバイ電力対応AC/DC電源用IC SSC3S241CA, SSC3S927を開発・最大50Aの電流に対応、低熱抵抗、絶縁距離確保、低ノイズ特性を実現したハイブリッド車・電気自動車のエアコンシステムに最適な高耐圧HVモータ用IC SAE6500シリーズを開発・薄厚ウエハ加工技術と最適化したセル構造により、高速性とトレードオフ関係にあるコレクタ エミッタ間飽和電圧を抑えることに成功、最大100ｋHzの高速スイッチングを実現するフィールドストップ(FS)型IGBTを開発・VF低減と同時にIRの上昇抑制を実現、車載向けオルタネータの高効率化に対応した交絡構造のPNダイオードSG-17NNJ23を開発・NEDOの「低炭素社会を実現する新材料パワー半導体プロジェクト」にて、SiCパワーデバイスの性能を十分に活用するために必要な低インダクタンスを実現するフリップチップ技術、サージ電圧を低減するスナバ回路を開発、それらを応用した高温動作SiCパワーモジュールを開発・ＬＥＤ照明の調光調色は、色温度が異なる２種類のＬＥＤと２台の調光電源を用いる制御方法が一般的であるが、この場合、ＰＷＭ調光器での制御が難しくなる。調光制御を電源側、調色制御をモジュール側で行い、２台必要であった調光電源を１台にすることができ、ＰＷＭ調光器での制御を容易にする汎用型ＬＥＤ照明用調色モジュールを開発・従来のMD製品に内蔵している「CPU＋TinyDSP」に加え、専用コア「EPU」を新規搭載し、電源のマルチタスク処理を更に強化したデジタル制御電源専用マイコンMD6603を開発・独自のライフタイムコントロール技術により、低ノイズを維持しながら低損失を実現したリカバリ特性改善MOS FETを搭載、キャリア周波数が高く軽負荷時の効率が重視されるファンモータ用途において省エネに貢献する制御IC SLA6871MZを開発・ホール素子対応の入力インターフェース、FG出力、保護機能を搭載した３相ブラシレスモーター駆動用IC SI-663xMシリーズを開発・最大16個のLED直列駆動が可能、それぞれのLEDのオープン、ショート機能を搭載し、その故障信号をCPUに伝達できる自動車ヘッドライト向け高輝度マトリクスLEDバイパススイッチIC SPF5047を開発・電流検出機能と電流PWM制御機能を有した高精度電流リニア制御用ハイサイドスイッチIC SPF5045を開発 ・全負荷範囲の効率向上のため、負荷に応じて自動的にグリーンモード、バースト発振モードに切替え、充実した保護機能によりコストパフォーマンスの高い電源システムを容易に実現できるパワーMOSFETと電流モード型PWM制御ICを１パッケージにしたPWM型スイッチング電源用パワーIC STR6A100シリーズを開発・高効率スタンバイ機能、デッドタイム自動調整機能や共振外れ検出機能等、充実した保護機能を搭載し、コストパフォーマンスが高く小型・高効率・低ノイズの電源システムを容易に構成可能、ハイサイドのパワーMOSFETをドライブするフローティングドライブ回路を内蔵したLLCタイプの電源共振型電源用制御IC SSC3S927を開発・待機状態の多い電子機器において軽負荷時にはパルススキップ動作を行うことで超高効率を実現、過電流保護、低入力禁止、過熱保護等の保護機能を有したパワーMOSFET内蔵の同期整流型チョッパレギュレータIC NR260シリーズを開発・アルミダイカスト材への圧入に対応、高耐熱・高寿命保証のプレスフィット型ツェナーダイオード SG-C17VVZ27を開発・トレンチ構造を採用し、従来製品と比べ順方向電圧特性と漏れ電流特性を改善、電源の回路効率の向上や高周波数化を実現したショットキーバリアダイオード FMETシリーズを開発・小型パッケージでありながら高輝度と長寿命を実現、狭いスペースでも搭載可能で車室内インテリアに最適なミニバスタブLED2414（SEP1**1816DA, SEP1**1810DA, SEP1**1820DAシリーズ）を開発・高効率LEDと専用電源を採用することで従来の電源内蔵型直管形LEDランプから約30%の効率向上を達成、拡散性の高いカバーを使用することでLEDイメージを抑えてムラのない発行を実現した高効率電源内蔵型直管形LEDランプ NVL12P11N0CSを開発 なお、GaNデバイスに関しては、NEDO基盤技術研究促進事業（民間基盤技術研究支援制度）「電源用GaN on Si 電子デバイスの研究」で得られたGaN on Si 技術を活かし、HEMT構造の横型デバイスの量産中で、より低コスト化のため、歩留改善に取り組んでおります。バルクGaN基板を用いた縦型デバイスでは、JST研究成果展開事業（スーパークラスタープログラム）に参加し、横型デバイスを超える性能向上の検討を進めております。 SiCデバイスに関しては、戦略的イノベーション創造プログラム（SIP）の高温実装技術テーマにおいて、SiCデバイスの高耐熱実装実用化に向けた技術開発を進めております。並行して、NEDO「太陽光発電システム効率向上・維持管理技術開発プロジェクト／太陽光発電システム効率向上技術の開発／次世代長寿命・高効率ACモジュール開発」を受託開発しており、高効率・高信頼性のSiCモジュールの開発を進めております。 半導体デバイス事業に係る当連結会計年度の研究開発費は147億78百万円であります。 (2) ＰＭ事業ＰＭ事業においては、対応市場及び製品構成の組み替えによる利益体質の確立をテーマに、エコ・省エネ、産機・新市場への拡販並びに高付加価値製品の開発に取り組んでおります。当連結会計年度における研究開発の主な成果は次のものがあります。・大電流・高速負荷応答性を備え、PMBus対応のハイパワー・高効率なPOL用DC/DCコンバータ BR211を開発 ＰＭ事業に係る当連結会計年度の研究開発費は３億29百万円であります。 (3) ＰＳ事業ＰＳ事業においては、グリーンエネルギーをキーワードに「発電・送配電・消費・蓄電」の分野への事業拡大を図るとともに、高効率変換技術を追求して継続的な新商品創出に取り組んでおります。当連結会計年度における研究開発の主な成果は次のものがあります。・システム全体のエネルギー効率を高め、省エネ化・低コスト化が期待されている高電圧直流給電システムに対応、出力容量1500Wの電源装置を開発・再生可能エネルギーで作られた電気を蓄え安定供給を実現、蓄電池と充放電用DC/DCコンバータユニット、太陽光発電用パワーコンディショナを直流回路で接続した50kW級の蓄電池併設太陽光発電システムを開発・発電量や異常状態等の各種情報をインターネットを介し遠隔地より監視可能、運転停止や出力制限等の制御機能を搭載した太陽光パワーコンディショナ遠隔監視・制御装置 PPS-OP05を開発・高機能バイパス回路切換方式を採用し、故障時でも無瞬断切換を行い、出力を遮断することなく運転を継続できるバイパス回路付並列DC/ACインバータ装置 SDA502-D/48-N/5 を開発・電源管理I/Fボードに対応、高品位でありながら可用性の高い良好な電力が供給でき、低背型でキャスター移動が可能な常時インバータ給電方式の中容量汎用UPS SNU-A103TT22, SNU-A103(752)TS2Xを開発・独自の高周波回路により、高効率・小型化を実現、遠隔監視装置と組み合わせることでスケジュール運転が可能な蓄電池併設太陽光発電システム用DC/DCコンバータEMD620-051N450A1を開発 ＰＳ事業に係る当連結会計年度の研究開発費は８億90百万円であります。

６ 【研究開発活動】当社グループは事業ドメインを「Power Electronics」と定め、この分野において一段上の企業像を目指すべく研究開発活動を進めております。基本方針としては、エコ・省エネ、グリーンエネルギー市場を核とした成長戦略の実現及び技術マーケティングの確立と効率的な開発マネジメントによる新製品開発の促進を掲げ、研究開発に取り組んでおります。また、一部の連結子会社にも研究開発部門を設けております。当連結会計年度における研究開発費の総額は売上高の11.1%に当たる173億56百万円であります。 セグメントごとの研究開発活動を示すと次の通りであります。 (1) 半導体デバイス事業半導体デバイス事業においては、製品開発における技術マーケティングの導入により成長市場へのシフトを担う製品開発に注力するとともに、開発工程管理の強化により開発スピードのアップを図っております。また、成長著しい新興国向けの汎用品の製品開発にも積極的に取り組んでおります。当連結会計年度における研究開発の主な成果は次のものがあります。・当社製品であるミックスドシグナルマイコンMD6602の高度な数値演算機能を用い、電流連続モード（CCM）PFC及び補助巻線レス電流臨界モード（CRM）PFC制御システムを開発・「高効率」「低騒音」「高制御」「省スペース」設計を確立したブラシレスDCモータ向けセンサレスベクトル制御搭載IPM SX6820xMを開発・LEDと並列にMOS FETを接続することでLEDに流れる電流量を可変し、LEDの個別調光を実現、BCDプロセスを用いて制御回路とパワー出力段を１チップで実現し小型化を図るとともに、製品構成についても自動車特有の使用安全環境に配慮した設計の車載ヘッドライト用LEDドライバIC SPF5047を開発・MOS FETに最適化したライフタイムコントロール技術を採用することで、高圧モータドライバICのスイッチング動作時のリカバリー特性改善を実現、エアコンのエネルギー消費効率APF向上を可能にするファンモータ駆動用ICを開発・LLC電流共振電源において主流となっている同期整流方式により、整流ダイオードから置き換えられたパワーMOS FETを全負荷領域で最適に制御し、最大効率を実現できるLLC電流共振電源用同期整流IC SR200Sシリーズを開発・低消費スタンバイ機能を搭載することでスタンバイ電源を不要とし、従来の２コンバータ構成から１コンバータ化となったことで大幅な省スペース化及び低コスト化が可能となった電流共振IC SSC3S920シリーズを開発・素子内部のバリア電極のある活性領域にトレンチ構造を形成することでバリア電極界面の電解緩和を図り低IR化を実現、更にトレンチ構造と素子外周の拡散構造を最適な設計とすることで逆方向耐圧を維持、高抵抗層のEpi抵抗を下げ低VF化を実現したトレンチSBDを開発・次世代パワーデバイスの制御技術をデジタル電源に応用し、ドライバIC内蔵GaN-FETを採用したスイッチトキャパシタ型電源の試作において最大出力5kW、98%以上の高効率を実現、またSiC-SBDとドライバIC内蔵GaN-FETを用いたフルデジタル制御PFC+LLC電源の試作において出力200W、効率93%以上の特性を実現・独自のシミュレーションツールを用いて、白色LEDと変わらない寿命、信頼性、明るさ、効率で、かつ青色光励起方式でありながら、AAA蛍光管クラスの演色性を実現した超高演色LEDを開発・独自の制御アルゴリズムにより正弦波電流を実現、低騒音・低振動・高効率を必要とするファンモータ用３相センサレスモータドライバA5941GLK-Tを開発・調光信号入力端子で5%以下の深い調光を実現、LED定電流制御と高調波対応を１コンバータで行える高力率・高効率LED照明用ドライバIC LC5586Dを開発・ウォッチドッグ機能、イネーブル機能、パワーオンリセット制御機能を有し、過電流・過熱に対する保護機能を内蔵した車載用２次側電源IC SPF3012を開発・効率向上のため負荷状態に応じて動作モードを自動で切り替え、構成部品が少なく、コストパフォーマンスの高い電源システムを容易に構成できる、パワーMOS FETと電流モード型PWM制御ICを１パッケージにしたPWM型スイッチング電源用パワーIC STR6A100シリーズを開発 ・効率向上のため負荷状態に応じて動作モードを自動で切り替え、充実した保護機能によりコストパフォーマンスの高い電源システムを容易に構成できる、パワーMOS FETと電流モード型PWM制御ICを内蔵した非絶縁タイプのスイッチング電源用パワーIC STR5A450シリーズを開発・入力電圧検出レス方式の採用で構成部品が少なく、低スタンバイ電力で高効率なPFCコンバータを容易に構成できる臨界モード型力率改善コンバータ用コントロールIC SSC2016Sを開発・スタンバイモード時には待機電力Pin=0.27W以下(Po=125mV)を実現可能な１コンバータ共振電源用制御IC SSC3S920シリーズを開発・軽負荷時でも86%の高効率を実現し、待機状態の多い電子機器においてトータルの高効率を実現可能な高入力対応のパワーMOS FET内蔵同期整流型チョッパレギュレータIC NR260シリーズを開発・各種保護機能を内蔵し、6.0V～25.0Vまでの広い入力電圧で動作し、最大7.0Aの出力電流を供給、基板の省スペース化に最適なパワーMOS FET内蔵の同期整流型スイッチングレギュレータIC NR430Nシリーズを開発・臨界電流モード制御を採用することで外付けMOS FETの発熱を減少、充実の保護機能でPWM調光にも対応し、高精度なLED駆動を実現したLEDバックライト用コントローラIC LC5910Sを開発・出力電圧可変・固定をMODE端子で切り替え可能な高耐圧低消費電流レギュレータNR350Nシリーズを開発・パワーMOSスイッチとバッテリー逆接保護素子とで構成するシステムを１パッケージで実現する車載用Pch-MOS FET DJR0417を開発・低損失化・省スペース化に最適、ソフトスイッチング用低飽和電圧タイプのトレンチIGBT TGD633を開発・TO-220パッケージで優れた放熱性を実現、PFC回路方式に合わせた２シリーズ（DEXS,DENS）の高速整流ダイオードを開発・TO-247パッケージで優れた放熱性を実現、ライフタイム制御の最適化により高速スイッチングに対応し、順方向損失を抑えた低VF高速整流ダイオードCTXS-5306Sを開発・高耐熱と高寿命化を保証したオルタネーター用プレスフィット型ダイオードSG-17VLZを開発・LEDの特長である形状の自由度を活かしレースウェイ内に光源と電源を組み入れたことで、すっきりとしたデザイン、施工時間の短縮につながるLEDベースライトNVR2RD000258NSQ, NVR2RD000358NSQを開発・青色LEDの使用でLED照明本来の特長である長寿命・紫外線レスを実現、かつ演色AAAの高演色を兼ね揃えた美術博物館・医療用向け調光超色超高演色LEDベースライトNVR1GB04C1T1NSCを開発・パッケージに充填する緑や黄色の蛍光体を高濃度化し、青色LEDチップと組み合わせることで高輝度化を実現、車室内インジケータ用高輝度LEDアンバー色、緑色SECG1WP0EY-SDTA, SEP1AA14**DAシリーズを開発 なお、GaNデバイスに関しては、NEDO基盤技術研究促進事業（民間基盤技術研究支援制度）「電源用GaN on Si 電子デバイスの研究」で得られたGaN on Si 技術を活かし、HEMT構造の横型デバイスの量産中で、より低コスト化のため、歩留改善に取り組んでおります。バルクGaN基板を用いた縦型デバイスでは、JST研究成果展開事業（スーパークラスタープログラム）に参加し、横型デバイスを超える性能向上の検討を進めております。 SiCデバイスに関しては、戦略的イノベーション創造プログラム（SIP）の高温実装技術テーマにおいて、SiCデバイスの高耐熱実装実用化に向けた技術開発を進めております。並行して、NEDO「太陽光発電システム効率向上・維持管理技術開発プロジェクト／太陽光発電システム効率向上技術の開発／次世代長寿命・高効率ACモジュール開発」を受託開発しており、高効率・高信頼性のSiCモジュールの開発を進めております。 半導体デバイス事業に係る当連結会計年度の研究開発費は159億76百万円であります。 (2) ＰＭ事業ＰＭ事業においては、対応市場及び製品構成の組み替えによる利益体質の確立をテーマに、エコ・省エネ、産機・新市場への拡販並びに高付加価値製品の開発に取り組んでおります。当連結会計年度における研究開発の主な成果は次のものがあります。・金属基板および高周波スイッチング技術により1/8ブリックサイズで250W出力が可能な携帯電話基地局RFアンプ用の高電力密度、大電力出力DC/DCコンバータUR129を開発・単出力で650Wクラスの出力、幅広い温度範囲で使用可能な産業機器向け大容量汎用スイッチング電源SWH650-24, SWH650-48を開発・自社IC使用により高効率と低待機電力を実現し、制御系の電源としてコスト対応力を備えた汎用小容量小型基板タイプの電源CWBシリーズを開発 ＰＭ事業に係る当連結会計年度の研究開発費は５億13百万円であります。 (3) ＰＳ事業ＰＳ事業においては、グリーンエネルギーをキーワードに「発電・送配電・消費・蓄電」の分野への事業拡大を図るとともに、高効率変換技術を追求して継続的な新商品創出に取り組んでおります。当連結会計年度における研究開発の主な成果は次のものがあります。・光源をキセノンランプからLEDに変更することで長寿命と発光部のメンテナンスフリーを実現、機械的スイッチをなくした半導体回路とLEDで構成された高信頼・省電力の高光度航空障害灯を開発・UPSに装着することで、仮想管理コマンド（vSphereCLI）で仮想ホストを直接制御する方式により、高信頼と低コストを同時に実現した、仮想化シャットダウンシステム構築に適したネットエージェント「FULLBACK NetAgent ⅢSV」を開発・変換効率の大幅向上、自立運転機能を標準搭載、保護等級の改善及び耐環境性能の向上、FRT機能の追加、電圧上昇抑制機能の性能改善をした太陽光発電用三相パワーコンディショナ要素技術の開発・PFC搭載で高調波を抑制、逆流阻止回路を内蔵し並列冗長運転が可能、更に負荷容量に応じ増設が容易に行える自然空冷整流器ユニットRSR-N48-50TPを開発・無瞬断型パラレルプロセッシング方式により高効率かつ小型化・軽量化を実現、独自の瞬時入力電源異常検出及び双方向変換器の高速動作により、停電時に無瞬断で電力を供給するビル空調設備用大容量UPS ACU-154TT2-PPを開発・ダブルコンバージョン方式の無停電電源装置「FBK-SBU単相出力シリーズ」でプラント・公共インフラ向け100kVAの大容量化を実現・最大変換効率98.7%を実現、最大電力追従機能3回路搭載でパネルの向きや影による影響を軽減し効率良く電力を取込むことが出来る太陽光発電用パワーコンディショナPPS-253FA1, PPS-283FA1を開発 ＰＳ事業に係る当連結会計年度の研究開発費は８億66百万円であります。