ＳＵＭＣＯ

３ 【事業の内容】当社グループ(当社及び当社の関係会社)は、当社、連結子会社16社、非連結子会社３社、持分法適用関連会社１社により構成されています。当社グループの事業は半導体(注１)メーカー向けシリコンウェーハの製造及び販売を主体とした「高純度シリコン事業」のみの単一セグメントであります。 (1) 高純度シリコン事業について当社グループが製造及び販売を行う半導体用シリコンウェーハは、当社グループの顧客である半導体メーカーがメモリーやロジック等の各種半導体を製造するうえで基板材料として用いられるものであります。半導体の製造工程においては、シリコンウェーハの口径が大きいほど一枚当たりのシリコンウェーハから切り出される半導体の個数が多くなるため生産性が向上し、さらに、半導体を切り出す際に周縁部で無駄となる部分の割合が減ることで歩留りが向上するため、半導体メーカーにおけるコスト削減の要請に応え、シリコンウェーハの口径は100mmから、125mm、150mm、200mm、300mmと世代ごとにその口径が大きくなっております。このような背景のもと、当社グループは、国内外の製造拠点において、各口径のポリッシュトウェーハ(注２)や、その表面にさらに特殊加工を施したエピタキシャルウェーハ(注３)等の製造を行っております。 (2) 当社グループの生産体制及び販売体制について(半導体用シリコンウェーハの製造工程及び製造方法)半導体用シリコンウェーハの製造工程は、大きく「単結晶引上工程」と「ウェーハ加工工程」に区分されます。単結晶引上工程においては、結晶炉内に設置した高純度石英ルツボ(注４)の中で加熱溶融した多結晶シリコンを、時間をかけて単結晶を成長させながら引き上げることにより、単結晶シリコンのインゴット(塊)を製造いたします。次に、ウェーハ加工工程において、単結晶引上工程にて製造された単結晶シリコンインゴットを厚さ１mm以下にスライスし、研削、研磨、洗浄等の工程を経てシリコンウェーハ(ポリッシュトウェーハ)に仕上げます。さらにポリッシュトウェーハの表面に特殊加工を施したエピタキシャルウェーハ等の製品も製造しております。 (当社グループの生産体制)当社グループにおいて、300mmウェーハについては、佐賀県伊万里市、佐賀県杵島郡江北町、山形県米沢市、長崎県大村市、台湾に製造拠点を置いております。200mm以下のウェーハについては、佐賀県伊万里市、佐賀県杵島郡江北町、山形県米沢市、北海道千歳市、長崎県大村市、宮崎県宮崎市、米国、インドネシア、台湾に製造拠点を置いております。さらに半導体用多結晶シリコンについては、三重県四日市市及び米国に製造拠点を置いております。 (当社グループの販売体制)当社グループの販売体制は、全世界の半導体メーカーに対応するため、次のような体制としております。日本国内では東京、大阪、福岡に営業拠点を置き、北米地域では米国に販売機能を置いております。また、アジア地域には台湾及びシンガポールに営業活動を行う子会社を置くとともに、台湾及び韓国に技術サポートを行う子会社を置いております。欧州とその近隣地域では、英国の販売子会社が営業活動を行っております。 (注)１．半導体一般に「半導体」という場合、物質・物性の呼び名でなく、半導体を材料として用いて作られたダイオードやトランジスタ、またトランジスタ等の集積回路であるIC(これらを総称して「デバイス」ともいいます。)等を指します。 (注)２．ポリッシュトウェーハ半導体用のシリコンウェーハの表面はインゴット状の単結晶から円板状にスライスされた後、鏡面加工を施されます。この状態のウェーハを「ポリッシュトウェーハ」といいます。 (注)３．エピタキシャルウェーハポリッシュトウェーハの表面上に、反応炉内で気相成長法によって薄いシリコン単結晶層を形成させ、これによって表面部分の品質を高めたものであります。 (注)４．高純度石英ルツボシリコン単結晶を製造する際に使用される容器には、加熱溶融した原材料にシリコン以外の不純物が混入しないことが求められることから、高純度石英ルツボが使用されます。 ［事業系統図］以上の事項を事業系統図によって示すと次のとおりであります。(※は連結子会社)

３ 【事業の内容】当社グループ(当社及び当社の関係会社)は、当社、連結子会社16社、非連結子会社３社、持分法適用関連会社１社により構成されています。当社グループの事業は半導体(注１)メーカー向けシリコンウェーハの製造及び販売を主体とした「高純度シリコン事業」のみの単一セグメントであります。 (1) 高純度シリコン事業について当社グループが製造及び販売を行う半導体用シリコンウェーハは、当社グループの顧客である半導体メーカーがメモリーやロジック等の各種半導体を製造するうえで基板材料として用いられるものであります。半導体の製造工程においては、シリコンウェーハの口径が大きいほど一枚当たりのシリコンウェーハから切り出される半導体の個数が多くなるため生産性が向上し、さらに、半導体を切り出す際に周縁部で無駄となる部分の割合が減ることで歩留りが向上するため、半導体メーカーにおけるコスト削減の要請に応え、シリコンウェーハの口径は100mmから、125mm、150mm、200mm、300mmと世代ごとにその口径が大きくなっております。このような背景のもと、当社グループは、国内外の製造拠点において、各口径のポリッシュトウェーハ(注２)や、その表面にさらに特殊加工を施したエピタキシャルウェーハ(注３)等の製造を行っております。 (2) 当社グループの生産体制及び販売体制について(半導体用シリコンウェーハの製造工程及び製造方法)半導体用シリコンウェーハの製造工程は、大きく「単結晶引上工程」と「ウェーハ加工工程」に区分されます。単結晶引上工程においては、結晶炉内に設置した高純度石英ルツボ(注４)の中で加熱溶融した多結晶シリコンを、時間をかけて単結晶を成長させながら引き上げることにより、単結晶シリコンのインゴット(塊)を製造いたします。次に、ウェーハ加工工程において、単結晶引上工程にて製造された単結晶シリコンインゴットを厚さ１mm以下にスライスし、研削、研磨、洗浄等の工程を経てシリコンウェーハ(ポリッシュトウェーハ)に仕上げます。さらにポリッシュトウェーハの表面に特殊加工を施したエピタキシャルウェーハ等の製品も製造しております。 (当社グループの生産体制)当社グループにおいて、300mmウェーハについては、佐賀県伊万里市、佐賀県杵島郡江北町、山形県米沢市、長崎県大村市、台湾に製造拠点を置いております。200mm以下のウェーハについては、佐賀県伊万里市、佐賀県杵島郡江北町、山形県米沢市、北海道千歳市、長崎県大村市、宮崎県宮崎市、米国、インドネシア、台湾に製造拠点を置いております。さらに半導体用多結晶シリコンについては、三重県四日市市及び米国に製造拠点を置いております。 (当社グループの販売体制)当社グループの販売体制は、全世界の半導体メーカーに対応するため、次のような体制としております。日本国内では東京、大阪、福岡に営業拠点を置き、北米地域では米国に販売機能を置いております。また、アジア地域には台湾及びシンガポールに営業活動を行う子会社を置くとともに、台湾及び韓国に技術サポートを行う子会社を置いております。欧州とその近隣地域では、英国の販売子会社が営業活動を行っております。 (注１)半導体一般に「半導体」という場合、物質・物性の呼び名でなく、半導体を材料として用いて作られたダイオードやトランジスタ、またトランジスタ等の集積回路であるIC(これらを総称して「デバイス」ともいいます。)等を指します。 (注２)ポリッシュトウェーハ半導体用のシリコンウェーハの表面はインゴット状の単結晶から円板状にスライスされた後、鏡面加工を施されます。この状態のウェーハを「ポリッシュトウェーハ」といいます。 (注３)エピタキシャルウェーハポリッシュトウェーハの表面上に、反応炉内で気相成長法によって薄いシリコン単結晶層を形成させ、これによって表面部分の品質を高めたものであります。 (注４)高純度石英ルツボシリコン単結晶を製造する際に使用される容器には、加熱溶融した原材料にシリコン以外の不純物が混入しないことが求められることから、高純度石英ルツボが使用されます。 ［事業系統図］以上の事項を事業系統図によって示すと次のとおりであります。(※は連結子会社)

３ 【事業の内容】当社グループ(当社及び当社の関係会社)は、当社、連結子会社16社、非連結子会社３社、持分法適用関連会社１社により構成されています。当社グループの事業は半導体(注１)メーカー向けシリコンウェーハの製造及び販売を主体とした「高純度シリコン事業」のみの単一セグメントであります。 (1) 高純度シリコン事業について当社グループが製造及び販売を行う半導体用シリコンウェーハは、当社グループの顧客である半導体メーカーがメモリーやロジック等の各種半導体を製造するうえで基板材料として用いられるものであります。半導体の製造工程においては、シリコンウェーハの口径が大きいほど一枚当たりのシリコンウェーハから切り出される半導体の個数が多くなるため生産性が向上し、さらに、半導体を切り出す際に周縁部で無駄となる部分の割合が減ることで歩留りが向上するため、半導体メーカーにおけるコスト削減の要請に応え、シリコンウェーハの口径は100mmから、125mm、150mm、200mm、300mmと世代毎にその口径が大きくなっております。このような背景のもと、当社グループは、国内外の製造拠点において、各口径のポリッシュトウェーハ(注２)や、その表面にさらに特殊加工を施したエピタキシャルウェーハ(注３)等の製造を行っております。 (2) 当社グループの生産体制及び販売体制について(半導体用シリコンウェーハの製造工程及び製造方法)半導体用シリコンウェーハの製造工程は、大きく「単結晶引上工程」と「ウェーハ加工工程」に区分されます。単結晶引上工程においては、結晶炉内に設置した高純度石英ルツボ(注４)の中で加熱溶融した多結晶シリコンを、時間をかけて単結晶を成長させながら引き上げることにより、単結晶シリコンのインゴット(塊)を製造いたします。次に、ウェーハ加工工程において、単結晶引上工程にて製造された単結晶シリコンインゴットを厚さ１mm以下にスライスし、研削、研磨、洗浄等の工程を経てシリコンウェーハ(ポリッシュトウェーハ)に仕上げます。さらにポリッシュトウェーハの表面に特殊加工を施したエピタキシャルウェーハ等の製品も製造しております。 (当社グループの生産体制)当社グループにおいて、300mmウェーハについては、佐賀県伊万里市、佐賀県杵島郡江北町、山形県米沢市、長崎県大村市、台湾に製造拠点を置いております。200mm以下のウェーハについては、佐賀県伊万里市、佐賀県杵島郡江北町、山形県米沢市、北海道千歳市、長崎県大村市、宮崎県宮崎市、米国、インドネシア、台湾に製造拠点を置いております。 (当社グループの販売体制)当社グループの販売体制は、全世界の半導体メーカーに対応するため、次のような体制としております。日本国内では東京、大阪、福岡に営業拠点を置き、北米地域では米国に販売機能を置いております。また、アジア地域には台湾及びシンガポールに営業活動を行う子会社を置くとともに、台湾及び韓国に技術サポートを行う子会社を置いております。欧州とその近隣地域では、英国の販売子会社が営業活動を行っております。 (注１)半導体一般に「半導体」という場合、物質・物性の呼び名でなく、半導体を材料として用いて作られたダイオードやトランジスタ、またトランジスタ等の集積回路であるIC(これらを総称して「デバイス」ともいいます。)等を指します。 (注２)ポリッシュトウェーハ半導体用のシリコンウェーハの表面はインゴット状の単結晶から円板状にスライスされた後、鏡面加工を施されます。この状態のウェーハを「ポリッシュトウェーハ」といいます。 (注３)エピタキシャルウェーハポリッシュトウェーハの表面上に、反応炉内で気相成長法によって薄いシリコン単結晶層を形成させ、これによって表面部分の品質を高めたものであります。 (注４)高純度石英ルツボシリコン単結晶を製造する際に使用される容器には、加熱溶融した原材料にシリコン以外の不純物が混入しないことが求められることから、高純度石英ルツボが使用されます。 ［事業系統図］以上の事項を事業系統図によって示すと次のとおりであります。(※は連結子会社)

３ 【事業の内容】当社の関係会社は国内子会社７社(連結子会社６社、非連結子会社１社)及び海外子会社10社(連結子会社８社、非連結子会社２社)であります。当社と当社の子会社で構成されるグループ(以下、「当社グループ」という。)の事業は半導体(注１)メーカー向けシリコンウェーハの製造及び販売を主体とした「高純度シリコン事業」のみの単一セグメントであります。 (1) 高純度シリコン事業について当社グループが製造及び販売を行う半導体用シリコンウェーハは、当社グループの顧客である半導体メーカーがメモリーやロジック等の各種半導体を製造するうえで基板材料として用いられるものであります。半導体の製造工程においては、シリコンウェーハの口径が大きいほど一枚当たりのシリコンウェーハから切り出される半導体の個数が多くなるため生産性が向上し、さらに、半導体を切り出す際に周縁部で無駄となる部分の割合が減ることで歩留りが向上するため、半導体メーカーにおけるコスト削減の要請に応え、シリコンウェーハの口径は100mmから、125mm、150mm、200mm、300mmと世代毎にその口径が大きくなっております。このような背景のもと、当社グループは、国内外の製造拠点において、各口径のポリッシュトウェーハ(注２)や、その表面にさらに特殊加工を施したエピタキシャルウェーハ(注３)等の製造を行っております。 (2) 当社グループの生産体制及び販売体制について(半導体用シリコンウェーハの製造工程及び製造方法)半導体用シリコンウェーハの製造工程は、大きく「単結晶引上工程」と「ウェーハ加工工程」に区分されます。単結晶引上工程においては、結晶炉内に設置した高純度石英ルツボ(注４)の中で加熱溶融した多結晶シリコンを、時間をかけて単結晶を成長させながら引き上げることにより、単結晶シリコンのインゴット(塊)を製造いたします。次に、ウェーハ加工工程において、単結晶引上工程にて製造された単結晶シリコンインゴットを厚さ１mm以下にスライスし、研削、研磨、洗浄等の工程を経てシリコンウェーハ(ポリッシュトウェーハ)に仕上げます。さらにポリッシュトウェーハの表面に特殊加工を施したエピタキシャルウェーハなどの製品も製造しております。 (当社グループの生産体制)当社グループにおいて、300mmウェーハについては、佐賀県伊万里市、佐賀県杵島郡江北町、山形県米沢市、長崎県大村市、台湾に製造拠点を置いております。200mm以下のウェーハについては、佐賀県伊万里市、佐賀県杵島郡江北町、山形県米沢市、北海道千歳市、長崎県大村市、宮崎県宮崎市、米国、インドネシア、台湾に製造拠点を置いております。 (当社グループの販売体制)当社グループの販売体制は、全世界の半導体メーカーに対応するため、次のような体制としております。日本国内では東京、大阪、福岡に営業拠点を置き、北米地域では米国に販売機能を置いております。また、アジア地域には台湾及びシンガポールに営業活動を行う子会社を置くとともに、台湾及び韓国に技術サポートを行う子会社を置いております。欧州とその近隣地域では、英国の販売子会社が営業活動を行っております。 (注１)半導体一般に「半導体」という場合、物質・物性の呼び名でなく、半導体を材料として用いて作られたダイオードやトランジスタ、またトランジスタ等の集積回路であるIC(これらを総称して「デバイス」ともいいます。)等を指します。 (注２)ポリッシュトウェーハ半導体用のシリコンウェーハの表面はインゴット状の単結晶から円板状にスライスされた後、鏡面加工を施されます。この状態のウェーハを「ポリッシュトウェーハ」といいます。 (注３)エピタキシャルウェーハポリッシュトウェーハの表面上に、反応炉内で気相成長法によって薄いシリコン単結晶層を形成させ、これによって表面部分の品質を高めたものであります。 (注４)高純度石英ルツボシリコン単結晶を製造する際に使用される容器には、加熱溶融した原材料にシリコン以外の不純物が混入しないことが求められることから、高純度石英ルツボが使用されます。 ［事業系統図］以上の事項を事業系統図によって示すと次のとおりであります。(※は連結子会社)

３ 【事業の内容】当社の関係会社は国内子会社７社(連結子会社６社、非連結子会社１社)及び海外子会社10社(連結子会社８社、非連結子会社２社)であります。当社と当社の子会社で構成されるグループ(以下「当社グループ」といいます。)の事業は半導体(注１)メーカー向けシリコンウェーハの製造及び販売を主体とした「高純度シリコン事業」のみの単一セグメントであります。 (1) 高純度シリコン事業について当社グループが製造及び販売を行う半導体用シリコンウェーハは、当社グループの顧客である半導体メーカーがメモリーやＭＰＵ(超小型演算処理装置)等の各種半導体を製造するうえで基板材料として用いられるものであります。半導体の製造工程においては、シリコンウェーハの口径が大きいほど一枚当たりのシリコンウェーハから切り出される半導体の個数が多くなるため生産性が向上し、さらに、半導体を切り出す際に周縁部で無駄となる部分の割合が減ることで歩留りが向上するため、半導体メーカーにおけるコスト削減の要請に応え、シリコンウェーハの口径は100mmから、125mm、150mm、200mm、300mmと世代毎にその口径が大きくなっております。このような背景のもと、当社グループは、国内外の製造拠点において、各口径のポリッシュトウェーハ(注２)や、その表面にさらに特殊加工を施したエピタキシャルウェーハ(注３)等の製造を行っております。 (2) 当社グループの生産体制及び販売体制について(半導体用シリコンウェーハの製造工程及び製造方法)半導体用シリコンウェーハの製造工程は、大きく「単結晶引上工程」と「ウェーハ加工工程」に区分されます。単結晶引上工程においては、結晶炉内に設置した高純度石英ルツボ(注４)の中で加熱溶融した多結晶シリコンを、時間をかけて単結晶を成長させながら引き上げることにより、単結晶シリコンのインゴット(塊)を製造いたします。次に、ウェーハ加工工程において、単結晶引上工程にて製造された単結晶シリコンインゴットを厚さ１mm以下にスライスし、研削、研磨、洗浄等の工程を経てシリコンウェーハ(ポリッシュトウェーハ)に仕上げます。さらにポリッシュトウェーハの表面に特殊加工を施したエピタキシャルウェーハなどの製品も製造しております。 (当社グループの生産体制)当社グループにおいて、300mmウェーハについては、佐賀県伊万里市、佐賀県杵島郡江北町、山形県米沢市、長崎県大村市、台湾に製造拠点を置いております。200mm以下のウェーハについては、佐賀県伊万里市、佐賀県杵島郡江北町、山形県米沢市、北海道千歳市、長崎県大村市、宮崎県宮崎市、米国、インドネシア、台湾に製造拠点を置いております。 (当社グループの販売体制)当社グループの販売体制は、全世界の半導体メーカーに対応するため、次のような体制としております。日本国内では東京、大阪、福岡に営業拠点を置き、北米地域では米国に販売機能を置いております。また、アジア地域には台湾及びシンガポールに営業活動を行う子会社を置くとともに、台湾及び韓国に技術サポートを行う子会社を置いております。欧州とその近隣地域では、英国の販売子会社が営業活動を行っております。 (注１)半導体一般に「半導体」という場合、物質・物性の呼び名でなく、半導体を材料として用いて作られたダイオードやトランジスタ、またトランジスタ等の集積回路であるIC(これらを総称して「デバイス」ともいいます。)等を指します。 (注２)ポリッシュトウェーハ半導体用のシリコンウェーハの表面はインゴット状の単結晶から円板状にスライスされた後、鏡面加工を施されます。この状態のウェーハを「ポリッシュトウェーハ」といいます。 (注３)エピタキシャルウェーハポリッシュトウェーハの表面上に、反応炉内で気相成長法によって薄いシリコン単結晶層を形成させ、これによって表面部分の品質を高めたものであります。 (注４)高純度石英ルツボシリコン単結晶を製造する際に使用される容器には、加熱溶融した原材料にシリコン以外の不純物が混入しないことが求められることから、高純度石英ルツボが使用されます。 ［事業系統図］以上の事項を事業系統図によって示すと次のとおりであります。(※は連結子会社)

３【事業の内容】当社の関係会社は国内子会社８社（連結子会社６社、非連結子会社２社）及び海外子会社10社（連結子会社８社、非連結子会社２社）であります。当社と当社の子会社で構成されるグループ（以下「当社グループ」といいます。）の事業は半導体（注１）メーカー向けシリコンウェーハの製造及び販売を主体とした「高純度シリコン事業」のみの単一セグメントであります。 (1)高純度シリコン事業について当社グループが製造及び販売を行う半導体用シリコンウェーハは、当社グループの顧客である半導体メーカーがメモリーやＭＰＵ（超小型演算処理装置）等の各種半導体を製造する上で基板材料として用いられるものであります。半導体の製造工程においては、シリコンウェーハの口径が大きいほど一枚当たりのシリコンウェーハから切り出される半導体の個数が多くなるため生産性が向上し、さらに、半導体を切り出す際に周縁部で無駄となる部分の割合が減ることで歩留りが向上するため、半導体メーカーにおけるコスト削減の要請に応え、シリコンウェーハの口径は100mmから、125mm、150mm、200mm、300mmと世代毎にその口径が大きくなっております。このような背景のもと、当社グループは、国内外の製造拠点において、各口径のポリッシュトウェーハ（注２）や、その表面にさらに特殊加工を施したエピタキシャルウェーハ（注３）等の製造を行っております。(2)当社グループの生産体制及び販売体制について（半導体用シリコンウェーハの製造工程及び製造方法）半導体用シリコンウェーハの製造工程は、大きく「単結晶引上工程」と「ウェーハ加工工程」に区分されます。単結晶引上工程においては、結晶炉内に設置した高純度石英ルツボ（注４）の中で加熱溶融した多結晶シリコンを、時間をかけて単結晶を成長させながら引き上げることにより、単結晶シリコンのインゴット（塊）を製造いたします。次に、ウェーハ加工工程において、単結晶引上工程にて製造された単結晶シリコンインゴットを厚さ１mm以下にスライスし、研削、研磨、洗浄等の工程を経てシリコンウェーハ（ポリッシュトウェーハ）に仕上げます。さらにポリッシュトウェーハの表面に特殊加工を施したエピタキシャルウェーハなどの製品も製造しております。 （当社グループの生産体制）当社グループにおいて、300mmウェーハについては、佐賀県伊万里市、佐賀県杵島郡江北町、山形県米沢市、長崎県大村市（SUMCO TECHXIV株式会社）、台湾（FORMOSA SUMCO TECHNOLOGY CORPORATION）に製造拠点を置いております。200mm以下のウェーハについては、佐賀県伊万里市、佐賀県杵島郡江北町、山形県米沢市、北海道千歳市、長崎県大村市（SUMCO TECHXIV株式会社）、宮崎県宮崎市（SUMCO TECHXIV株式会社）、米国（SUMCO Phoenix Corporation及びその製造子会社）、インドネシア（PT. SUMCO Indonesia）、台湾（FORMOSA SUMCO TECHNOLOGY CORPORATION）に製造拠点を置いております。 （当社グループの販売体制）当社グループの販売体制は、全世界の半導体メーカーに対応するため、次のような体制としております。日本国内では東京、大阪、福岡に営業拠点を置き、北米地域ではSUMCO Phoenix Corporationに販売機能を置いております。また、アジア地域には台湾及びシンガポールに営業活動を行う子会社を置くとともに、台湾及び韓国に技術サポートを行う子会社を置いております。欧州とその近隣地域では、英国の販売子会社であるSUMCO Europe Sales Plcが営業活動を行っております。 （注１）半導体一般に「半導体」という場合、物質・物性の呼び名でなく、半導体を材料として用いて作られたダイオードやトランジスタ、またトランジスタ等の集積回路であるIC（これらを総称して「デバイス」ともいいます。）等を指します。 （注２）ポリッシュトウェーハ半導体用のシリコンウェーハの表面はインゴット状の単結晶から円板状にスライスされた後、鏡面加工を施されます。この状態のウェーハを「ポリッシュトウェーハ」といいます。 （注３）エピタキシャルウェーハポリッシュトウェーハの表面上に、反応炉内で気相成長法によって薄いシリコン単結晶層を形成させ、これによって表面部分の品質を高めたものであります。 （注４）高純度石英ルツボシリコン単結晶を製造する際に使用される容器には、加熱溶融した原材料にシリコン以外の不純物が混入しないことが求められることから、高純度石英ルツボが使用されます。 ［事業系統図］ 以上の事項を事業系統図によって示すと次のとおりであります。（※は連結子会社） 前連結会計年度末において主要株主であった三菱マテリアル株式会社は、当連結会計年度末現在では主要株主ではなくなりました。

３【事業の内容】当社の関係会社は国内子会社８社（連結子会社６社、非連結子会社２社）及び海外子会社10社（連結子会社８社、非連結子会社２社）であります。当社と当社の子会社で構成されるグループ（以下「当社グループ」といいます。）の事業は半導体（注１）メーカー向けシリコンウェーハの製造及び販売を主体とした「高純度シリコン事業」のみの単一セグメントであります。 (1)高純度シリコン事業について当社グループが製造及び販売を行う半導体用シリコンウェーハは、当社グループの顧客である半導体メーカーがメモリーやＭＰＵ（超小型演算処理装置）等の各種半導体を製造する上で基板材料として用いられるものであります。半導体の製造工程においては、シリコンウェーハの口径が大きいほど一枚当たりのシリコンウェーハから切り出される半導体の個数が多くなるため生産性が向上し、さらに、半導体を切り出す際に周縁部で無駄となる部分の割合が減ることで歩留りが向上するため、半導体メーカーにおけるコスト削減の要請に応え、シリコンウェーハの口径は100mmから、125mm、150mm、200mm、300mmと世代毎にその口径が大きくなっております。このような背景のもと、当社グループは、国内外の製造拠点において、各口径のポリッシュトウェーハ（注２）や、その表面にさらに特殊加工を施したエピタキシャルウェーハ（注３）等の製造を行っております。(2)当社グループの生産体制及び販売体制について（半導体用シリコンウェーハの製造工程及び製造方法）半導体用シリコンウェーハの製造工程は、大きく「単結晶引上工程」と「ウェーハ加工工程」に区分されます。単結晶引上工程においては、結晶炉内に設置した高純度石英ルツボ（注４）の中で加熱溶融した多結晶シリコンを、時間をかけて単結晶を成長させながら引き上げることにより、単結晶シリコンのインゴット（塊）を製造いたします。次に、ウェーハ加工工程において、単結晶引上工程にて製造された単結晶シリコンインゴットを厚さ１mm以下にスライスし、研削、研磨、洗浄等の工程を経てシリコンウェーハ（ポリッシュトウェーハ）に仕上げます。さらにポリッシュトウェーハの表面に特殊加工を施したエピタキシャルウェーハなどの製品も製造しております。 （当社グループの生産体制）当社グループにおいて、300mmウェーハについては、佐賀県伊万里市、佐賀県杵島郡江北町、山形県米沢市、長崎県大村市（SUMCO TECHXIV株式会社）、台湾（FORMOSA SUMCO TECHNOLOGY CORPORATION）に製造拠点を置いております。200mm以下のウェーハについては、佐賀県伊万里市、佐賀県杵島郡江北町、山形県米沢市、北海道千歳市、長崎県大村市（SUMCO TECHXIV株式会社）、宮崎県宮崎市（SUMCO TECHXIV株式会社）、米国（SUMCO Phoenix Corporation及びその製造子会社）、インドネシア（PT. SUMCO Indonesia）、台湾（FORMOSA SUMCO TECHNOLOGY CORPORATION）に製造拠点を置いております。半導体用シリコンウェーハ製造工程において使用される設備の一部は、主要株主である三菱マテリアル株式会社の子会社から購入しております。また、原材料の一部は、三菱マテリアル株式会社及びその子会社から購入しております。 （当社グループの販売体制）当社グループの販売体制は、全世界の半導体メーカーに対応するため、次のような体制としております。日本国内では東京、大阪、福岡に営業拠点を置き、北米地域ではSUMCO Phoenix Corporationに販売機能を置いております。また、アジア地域には台湾及びシンガポールに営業活動を行う子会社を置くとともに、台湾及び韓国に技術サポートを行う子会社を置いております。欧州とその近隣地域では、英国の販売子会社であるSUMCO Europe Sales Plcが営業活動を行っております。 （注１）半導体一般に「半導体」という場合、物質・物性の呼び名でなく、半導体を材料として用いて作られたダイオードやトランジスタ、またトランジスタ等の集積回路であるIC（これらを総称して「デバイス」ともいいます。）等を指します。 （注２）ポリッシュトウェーハ半導体用のシリコンウェーハの表面はインゴット状の単結晶から円板状にスライスされた後、鏡面加工を施されます。この状態のウェーハを「ポリッシュトウェーハ」といいます。 （注３）エピタキシャルウェーハポリッシュトウェーハの表面上に、反応炉内で気相成長法によって薄いシリコン単結晶層を形成させ、これによって表面部分の品質を高めたものであります。 （注４）高純度石英ルツボシリコン単結晶を製造する際に使用される容器には、加熱溶融した原材料にシリコン以外の不純物が混入しないことが求められることから、高純度石英ルツボが使用されます。 ［事業系統図］ 以上の事項を事業系統図によって示すと次のとおりであります。（※は連結子会社）

３【事業の内容】当社の関係会社は国内子会社８社（連結子会社６社、非連結子会社２社）及び海外子会社10社（連結子会社８社、非連結子会社２社）であります。当社と当社の子会社で構成されるグループ（以下「当社グループ」といいます。）の事業は半導体（注１）メーカー向けシリコンウェーハの製造及び販売を主体とした「高純度シリコン事業」のみの単一セグメントであります。 (1)高純度シリコン事業について当社グループが製造及び販売を行う半導体用シリコンウェーハは、当社グループの顧客である半導体メーカーがメモリーやＭＰＵ（超小型演算処理装置）等の各種半導体を製造する上で基板材料として用いられるものであります。半導体の製造工程においては、シリコンウェーハの口径が大きいほど一枚当たりのシリコンウェーハから切り出される半導体の個数が多くなるため生産性が向上し、さらに、半導体を切り出す際に周縁部で無駄となる部分の割合が減ることで歩留りが向上するため、半導体メーカーにおけるコスト削減の要請に応え、シリコンウェーハの口径は100mmから、125mm、150mm、200mm、300mmと世代毎にその口径が大きくなっております。このような背景のもと、当社グループは、国内外の製造拠点において、各口径のポリッシュトウェーハ（注２）や、その表面にさらに特殊加工を施したエピタキシャルウェーハ（注３）等の製造を行っております。(2)当社グループの生産体制及び販売体制について（半導体用シリコンウェーハの製造工程及び製造方法）半導体用シリコンウェーハの製造工程は、大きく「単結晶引上工程」と「ウェーハ加工工程」に区分されます。単結晶引上工程においては、結晶炉内に設置した高純度石英ルツボ（注４）の中で加熱溶融した多結晶シリコンを、時間をかけて単結晶を成長させながら引き上げることにより、単結晶シリコンのインゴット（塊）を製造いたします。次に、ウェーハ加工工程において、単結晶引上工程にて製造された単結晶シリコンインゴットを厚さ１mm以下にスライスし、研削、研磨、洗浄等の工程を経てシリコンウェーハ（ポリッシュトウェーハ）に仕上げます。さらにポリッシュトウェーハの表面に特殊加工を施したエピタキシャルウェーハなどの製品も製造しております。 （当社グループの生産体制）当社グループにおいて、300mmウェーハについては、伊万里工場、佐賀工場、米沢工場、SUMCO TECHXIV株式会社の長崎工場、台湾のFORMOSA SUMCO TECHNOLOGY CORPORATIONに製造拠点を置いております。200mm以下のウェーハについては、伊万里工場、佐賀工場、米沢工場、千歳工場、SUMCO TECHXIV株式会社の長崎工場及び宮崎工場、米国のSUMCO Phoenix Corporation及びその製造子会社、インドネシアのPT. SUMCO Indonesia、台湾のFORMOSA SUMCO TECHNOLOGY CORPORATIONに製造拠点を置いております。半導体用シリコンウェーハ製造工程において使用される設備の一部は、主要株主である三菱マテリアル株式会社の子会社から購入しております。また、原材料の一部は、三菱マテリアル株式会社及びその子会社から購入しております。 （当社グループの販売体制）当社グループの販売体制は、全世界の半導体メーカーに対応するため、次のような体制としております。日本国内では東京、大阪、福岡に営業拠点を置き、北米地域ではSUMCO Phoenix Corporationに販売機能を置いております。また、アジア地域には台湾及びシンガポールに営業活動を行う子会社を置くとともに、台湾及び韓国に技術サポートを行う子会社を置いております。欧州とその近隣地域では、英国の販売子会社であるSUMCO Europe Sales Plcが営業活動を行っております。 （注１）半導体一般に「半導体」という場合、物質・物性の呼び名でなく、半導体を材料として用いて作られたダイオードやトランジスタ、またトランジスタ等の集積回路であるIC（これらを総称して「デバイス」ともいいます。）等を指します。 （注２）ポリッシュトウェーハ半導体用のシリコンウェーハの表面はインゴット状の単結晶から円板状にスライスされた後、鏡面加工を施されます。この状態のウェーハを「ポリッシュトウェーハ」といいます。 （注３）エピタキシャルウェーハポリッシュトウェーハの表面上に、反応炉内で気相成長法によって薄いシリコン単結晶層を形成させ、これによって表面部分の品質を高めたものであります。 （注４）高純度石英ルツボシリコン単結晶を製造する際に使用される容器には、加熱溶融した原材料にシリコン以外の不純物が混入しないことが求められることから、高純度石英ルツボが使用されます。 ［事業系統図］ 以上の事項を事業系統図によって示すと次のとおりであります。（※は連結子会社） 米国における当社の連結子会社であったSUMCO Funding Corporation及びSTX Finance America, Inc.は、当連結会計年度において、SUMCO Phoenix Corporationに吸収合併したため、連結の範囲から除外しております。

３【事業の内容】当社の関係会社は国内子会社８社（連結子会社６社、非連結子会社２社）及び海外子会社12社（連結子会社10社、非連結子会社２社）であります。なお、当社のその他の関係会社であった新日鐵住金株式会社と三菱マテリアル株式会社は、2017年２月15日に両社が保有する当社株式の一部を売却いたしました。その結果、当社は両社の持分法適用関連会社から除外されることとなり、両社は当社にとりましてその他の関係会社から主要株主へ異動いたしました。更に、新日鐵住金株式会社は、2017年10月17日に当社株式の一部を売却し、当社の主要株主ではなくなりました。当社と当社の子会社で構成されるグループ（以下「当社グループ」といいます。）の事業は半導体（注１）メーカー向けシリコンウェーハの製造及び販売を主体とした「高純度シリコン事業」のみの単一セグメントであります。 (1)高純度シリコン事業について当社グループが製造及び販売を行う半導体用シリコンウェーハは、当社グループの顧客である半導体メーカーがメモリーやＭＰＵ（超小型演算処理装置）等の各種半導体を製造する上で基板材料として用いられるものであります。半導体の製造工程においては、シリコンウェーハの口径が大きいほど一枚当たりのシリコンウェーハから切り出される半導体の個数が多くなるため生産性が向上し、さらに、半導体を切り出す際に周縁部で無駄となる部分の割合が減ることで歩留りが向上するため、半導体メーカーにおけるコスト削減の要請に応え、シリコンウェーハの口径は100mmから、125mm、150mm、200mm、300mmと世代毎にその口径が大きくなっております。このような背景のもと、当社グループは、国内外の製造拠点において、各口径のポリッシュトウェーハ（注２）や、その表面にさらに特殊加工を施したエピタキシャルウェーハ（注３）等の製造を行っております。(2)当社グループの生産体制及び販売体制について（半導体用シリコンウェーハの製造工程及び製造方法）半導体用シリコンウェーハの製造工程は、大きく「単結晶引上工程」と「ウェーハ加工工程」に区分されます。単結晶引上工程においては、結晶炉内に設置した高純度石英ルツボ（注４）の中で加熱溶融した多結晶シリコンを、時間をかけて単結晶を成長させながら引き上げることにより、単結晶シリコンのインゴット（塊）を製造いたします。次に、ウェーハ加工工程において、単結晶引上工程にて製造された単結晶シリコンインゴットを厚さ１mm以下にスライスし、研削、研磨、洗浄等の工程を経てシリコンウェーハ（ポリッシュトウェーハ）に仕上げます。さらにポリッシュトウェーハの表面に特殊加工を施したエピタキシャルウェーハなどの製品も製造しております。 （当社グループの生産体制）当社グループにおいて、300mmウェーハについては、伊万里工場、佐賀工場、米沢工場、SUMCO TECHXIV株式会社の長崎工場、台湾のFORMOSA SUMCO TECHNOLOGY CORPORATIONに製造拠点を置いております。200mm以下のウェーハについては、伊万里工場、佐賀工場、米沢工場、千歳工場、SUMCO TECHXIV株式会社の長崎工場及び宮崎工場、米国のSUMCO Phoenix Corporation及びその製造子会社、インドネシアのPT. SUMCO Indonesia、台湾のFORMOSA SUMCO TECHNOLOGY CORPORATIONに製造拠点を置いております。半導体用シリコンウェーハ製造工程において使用される設備の一部は、主要株主である三菱マテリアル株式会社の子会社から購入しております。また、原材料の一部は、三菱マテリアル株式会社及びその子会社から購入しております。 （当社グループの販売体制）当社グループの販売体制は、全世界の半導体メーカーに対応するため、次のような体制としております。日本国内では東京、大阪、福岡に営業拠点を置き、北米地域ではSUMCO Phoenix Corporationに販売機能を置いております。また、アジア地域には台湾及びシンガポールに営業活動を行う子会社を置くとともに、台湾及び韓国に技術サポートを行う子会社を置いております。欧州とその近隣地域では、英国の販売子会社であるSUMCO Europe Sales Plcが営業活動を行っております。 （注１）半導体一般に「半導体」という場合、物質・物性の呼び名でなく、半導体を材料として用いて作られたダイオードやトランジスタ、またトランジスタ等の集積回路であるIC（これらを総称して「デバイス」ともいいます。）等を指します。 （注２）ポリッシュトウェーハ半導体用のシリコンウェーハの表面はインゴット状の単結晶から円板状にスライスされた後、鏡面加工を施されます。この状態のウェーハを「ポリッシュトウェーハ」といいます。 （注３）エピタキシャルウェーハポリッシュトウェーハの表面上に、反応炉内で気相成長法によって薄いシリコン単結晶層を形成させ、これによって表面部分の品質を高めたものであります。 （注４）高純度石英ルツボシリコン単結晶を製造する際に使用される容器には、加熱溶融した原材料にシリコン以外の不純物が混入しないことが求められることから、高純度石英ルツボが使用されます。 ［事業系統図］ 以上の事項を事業系統図によって示すと次のとおりであります。（※は連結子会社） 当社のその他の関係会社であった新日鐵住金株式会社と三菱マテリアル株式会社は、2017年２月15日に両社が保有する当社株式の一部を売却いたしました。その結果、当社は両社の持分法適用関連会社から除外されることとなり、両社は当社にとりましてその他の関係会社から主要株主へ異動いたしました。更に、新日鐵住金株式会社は、2017年10月17日に当社株式の一部を売却し、当社の主要株主ではなくなりました。

３【事業の内容】当社の関係会社は国内子会社８社（連結子会社６社、非連結子会社２社）及び海外子会社12社（連結子会社10社、非連結子会社２社）であります。また、当社のその他の関係会社は新日鐵住金株式会社と三菱マテリアル株式会社であり、当社は当該両社のグループに属しております。なお、新日鐵住金株式会社と三菱マテリアル株式会社は、平成29年２月15日に両社が保有する当社株式の一部を売却しております。その結果、当社は両社の持分法適用関連会社から除外されることとなり、両社は当社にとりましてその他の関係会社から主要株主へ異動しております。当社と当社の子会社で構成されるグループ（以下「当社グループ」といいます。）の事業は半導体（注１）メーカー向けシリコンウェーハの製造及び販売を主体とした「高純度シリコン事業」のみの単一セグメントであります。 (1)高純度シリコン事業について当社グループが製造及び販売を行う半導体用シリコンウェーハは、当社グループの顧客である半導体メーカーがメモリーやＭＰＵ（超小型演算処理装置）等の各種半導体を製造する上で基板材料として用いられるものであります。半導体の製造工程においては、シリコンウェーハの口径が大きいほど一枚当たりのシリコンウェーハから切り出される半導体の個数が多くなるため生産性が向上し、さらに、半導体を切り出す際に周縁部で無駄となる部分の割合が減ることで歩留りが向上するため、半導体メーカーにおけるコスト削減の要請に応え、シリコンウェーハの口径は100mmから、125mm、150mm、200mm、300mmと世代毎にその口径が大きくなっております。このような背景のもと、当社グループは、国内外の製造拠点において、各口径のポリッシュトウェーハ（注２）や、その表面にさらに特殊加工を施したエピタキシャルウェーハ（注３）等の製造を行っております。(2)当社グループの生産体制及び販売体制について（半導体用シリコンウェーハの製造工程及び製造方法）半導体用シリコンウェーハの製造工程は、大きく「単結晶引上工程」と「ウェーハ加工工程」に区分されます。単結晶引上工程においては、結晶炉内に設置した高純度石英ルツボ（注４）の中で加熱溶融した多結晶シリコンを、時間をかけて単結晶を成長させながら引き上げることにより、単結晶シリコンのインゴット（塊）を製造いたします。次に、ウェーハ加工工程において、単結晶引上工程にて製造された単結晶シリコンインゴットを厚さ１mm以下にスライスし、研削、研磨、洗浄等の工程を経てシリコンウェーハ（ポリッシュトウェーハ）に仕上げます。さらにポリッシュトウェーハの表面に特殊加工を施したエピタキシャルウェーハなどの製品も製造しております。 （当社グループの生産体制）当社グループにおいて、300mmウェーハについては、伊万里工場、佐賀工場、米沢工場、SUMCO TECHXIV株式会社の長崎工場、台湾のFORMOSA SUMCO TECHNOLOGY CORPORATIONに製造拠点を置いております。200mm以下のウェーハについては、伊万里工場、佐賀工場、米沢工場、千歳工場、SUMCO TECHXIV株式会社の長崎工場及び宮崎工場、米国のSUMCO Phoenix Corporation及びその製造子会社、インドネシアのPT. SUMCO Indonesia、台湾のFORMOSA SUMCO TECHNOLOGY CORPORATIONに製造拠点を置いております。半導体用シリコンウェーハ製造工程において使用される設備の一部は、「その他の関係会社」である三菱マテリアル株式会社の子会社である三菱マテリアルテクノ株式会社から購入しております。また、三菱マテリアル株式会社及びその子会社並びに新日鐵住金株式会社の関連会社から原材料を購入しております。 （当社グループの販売体制）当社グループの販売体制は、全世界の半導体メーカーに対応するため、次のような体制としております。日本国内では東京、大阪、福岡に営業拠点を置き、北米地域ではSUMCO Phoenix Corporationに販売機能を置いております。また、アジア地域には台湾及びシンガポールに営業活動を行う子会社を置くとともに、台湾及び韓国に技術サポートを行う子会社を置いております。欧州とその近隣地域では、英国の販売子会社であるSUMCO Europe Sales Plcが営業活動を行っております。 （注１）半導体一般に「半導体」という場合、物質・物性の呼び名でなく、半導体を材料として用いて作られたダイオードやトランジスタ、またトランジスタ等の集積回路であるIC（これらを総称して「デバイス」ともいいます。）等を指します。 （注２）ポリッシュトウェーハ半導体用のシリコンウェーハの表面はインゴット状の単結晶から円板状にスライスされた後、鏡面加工を施されます。この状態のウェーハを「ポリッシュトウェーハ」といいます。 （注３）エピタキシャルウェーハポリッシュトウェーハの表面上に、反応炉内で気相成長法によって薄いシリコン単結晶層を形成させ、これによって表面部分の品質を高めたものであります。 （注４）高純度石英ルツボシリコン単結晶を製造する際に使用される容器には、加熱溶融した原材料にシリコン以外の不純物が混入しないことが求められることから、高純度石英ルツボが使用されます。 ［事業系統図］ 以上の事項を事業系統図によって示すと次のとおりであります。（※は連結子会社） 日鉄住金ファインテック株式会社（現 日鉄住金精密加工株式会社）は平成28年３月末をもって半導体装置を含む産業機械装置から撤退いたしました。また、当社のその他の関係会社である新日鐵住金株式会社及び三菱マテリアル株式会社は、平成29年２月15日に両社が保有する当社株式の一部を売却し、その他の関係会社から主要株主へ異動しております。