研究開発活動(本文)
FY2025|298 文字
6【研究開発活動】当連結会計年度における研究開発費の総額は、売上高の9.4%にあたる6,619百万円であります。主なセグメントの研究開発活動を示すと次のとおりであります。 (1) プローブカード事業高性能・高機能化する半導体デバイス向けに最適かつ信頼度の高い次世代プローブカードを開発するため、要素技術や製造技術における研究開発を実施いたしました。当事業に係る当連結会計年度の研究開発費は5,797百万円であります。 (2) TE事業半導体テスタ、プローバ、テストソケット等、次世代に向けて要素技術開発も含め幅広く実施いたしました。当事業に係る当連結会計年度の研究開発費は822百万円であります。
FY2024|298 文字
6【研究開発活動】当連結会計年度における研究開発費の総額は、売上高の9.2%にあたる5,140百万円であります。主なセグメントの研究開発活動を示すと次のとおりであります。 (1) プローブカード事業高性能・高機能化する半導体デバイス向けに最適かつ信頼度の高い次世代プローブカードを開発するため、要素技術や製造技術における研究開発を実施いたしました。当事業に係る当連結会計年度の研究開発費は4,567百万円であります。 (2) TE事業半導体テスタ、プローバ、テストソケット等、次世代に向けて要素技術開発も含め幅広く実施いたしました。当事業に係る当連結会計年度の研究開発費は572百万円であります。
FY2023|309 文字
6【研究開発活動】当連結会計年度における研究開発費の総額は、売上高の12.6%にあたる4,823百万円であります。主なセグメントの研究開発活動を示すと次のとおりであります。 (1) プローブカード事業高性能・高機能化する半導体デバイス向けに最適かつ信頼度の高い次世代プローブカードを開発するため、要素技術や製造技術における研究開発を実施いたしました。当事業に係る当連結会計年度の研究開発費は4,293百万円であります。 (2) TE事業半導体テスタ、プローバ、LCDパネル検査用プローブユニット等、次世代に向けて要素技術開発も含め幅広く実施いたしました。当事業に係る当連結会計年度の研究開発費は529百万円であります。
FY2022|308 文字
5【研究開発活動】当連結会計年度における研究開発費の総額は、売上高の9.5%にあたる4,205百万円であります。主なセグメントの研究開発活動を示すと次のとおりであります。 (1) プローブカード事業高性能・高機能化する半導体デバイス向けに最適かつ信頼度の高い次世代プローブカードを開発するため、要素技術や製造技術における研究開発を実施いたしました。当事業に係る当連結会計年度の研究開発費は3,689百万円であります。 (2) TE事業半導体テスタ、プローバ、LCDパネル検査用プローブユニット等、次世代に向けて要素技術開発も含め幅広く実施いたしました。当事業に係る当連結会計年度の研究開発費は516百万円であります。
FY2021|329 文字
5【研究開発活動】当連結会計年度における研究開発費の総額は、各セグメントに属さない研究開発費84百万円を含む売上高の8.4%にあたる3,369百万円であります。主なセグメントの研究開発活動を示すと次のとおりであります。 (1) プローブカード事業高性能・高機能化する半導体デバイス向けに最適かつ信頼度の高い次世代プローブカードを開発するため、要素技術や製造技術における研究開発を実施いたしました。当事業に係る当連結会計年度の研究開発費は3,040百万円であります。 (2) TE事業テスタ、プローバ、自動光学検査装置、プローブユニット等、次世代に向けて要素技術開発も含め幅広く実施いたしました。当事業に係る当連結会計年度の研究開発費は244百万円であります。
FY2020|331 文字
5【研究開発活動】当連結会計年度における研究開発費の総額は、各セグメントに属さない研究開発費755百万円を含む売上高の10.2%にあたる4,087百万円であります。主なセグメントの研究開発活動を示すと次のとおりであります。 (1) プローブカード事業高性能・高機能化する半導体デバイス向けに最適かつ信頼度の高い次世代プローブカードを開発するため、要素技術や製造技術における研究開発を実施いたしました。当事業に係る当連結会計年度の研究開発費は3,209百万円であります。 (2) TE事業テスタ、プローバ、自動光学検査装置、プローブユニット等、次世代に向けて要素技術開発も含め幅広く実施いたしました。当事業に係る当連結会計年度の研究開発費は123百万円であります。
FY2019|331 文字
5【研究開発活動】当連結会計年度における研究開発費の総額は、各セグメントに属さない研究開発費667百万円を含む売上高の13.4%にあたる3,735百万円であります。主なセグメントの研究開発活動を示すと次のとおりであります。 (1) プローブカード事業高性能・高機能化する半導体デバイス向けに最適かつ信頼度の高い次世代プローブカードを開発するため、要素技術や製造技術における研究開発を実施いたしました。当事業に係る当連結会計年度の研究開発費は2,682百万円であります。 (2) TE事業テスタ、プローバ、自動光学検査装置、プローブユニット等、次世代に向けて要素技術開発も含め幅広く実施いたしました。当事業に係る当連結会計年度の研究開発費は384百万円であります。
FY2018|331 文字
5【研究開発活動】当連結会計年度における研究開発費の総額は、各セグメントに属さない研究開発費756百万円を含む売上高の12.5%にあたる3,749百万円であります。主なセグメントの研究開発活動を示すと次のとおりであります。 (1) プローブカード事業高性能・高機能化する半導体デバイス向けに最適かつ信頼度の高い次世代プローブカードを開発するため、要素技術や製造技術における研究開発を実施いたしました。当事業に係る当連結会計年度の研究開発費は2,623百万円であります。 (2) TE事業テスタ、プローバ、自動光学検査装置、プローブユニット等、次世代に向けて要素技術開発も含め幅広く実施いたしました。当事業に係る当連結会計年度の研究開発費は369百万円であります。
FY2017|331 文字
6【研究開発活動】当連結会計年度における研究開発費の総額は、各セグメントに属さない研究開発費725百万円を含む売上高の12.2%にあたる3,459百万円であります。主なセグメントの研究開発活動を示すと次のとおりであります。 (1) プローブカード事業高性能・高機能化する半導体デバイス向けに最適かつ信頼度の高い次世代プローブカードを開発するため、要素技術や製造技術における研究開発を実施いたしました。当事業に係る当連結会計年度の研究開発費は2,558百万円であります。 (2) TE事業テスタ、プローバ、自動光学検査装置、プローブユニット等、次世代に向けて要素技術開発も含め幅広く実施いたしました。当事業に係る当連結会計年度の研究開発費は175百万円であります。
FY2016|312 文字
6【研究開発活動】当連結会計年度における研究開発費の総額は、各セグメントに属さない研究開発費756百万円を含む売上高の12.7%にあたる3,316百万円であります。主なセグメントの研究開発活動を示すと次のとおりであります。 (1) プローブカード事業高性能・高機能化する半導体デバイス向けに最適かつ信頼度の高い次世代プローブカードを開発するため、要素技術や製造技術における研究開発を実施いたしました。当事業に係る当連結会計年度の研究開発費は2,504百万円であります。 (2) TE事業BISTテスタ後継機種及びロジック用DFTテスタ等の開発を実施いたしました。当事業に係る当連結会計年度の研究開発費は55百万円であります。