新電元工業

６【研究開発活動】当社グループの研究開発体制は、おもに基礎研究および応用技術開発を担当する技術開発センターと、商品開発を担当する各事業部門およびグループ会社の設計・開発部門で構成しております。企業ミッションである「エネルギーの変換効率を極限まで追求することにより、人類と社会に貢献する」のもと、技術開発センターでは当社グループの主要事業領域に新たな技術を移管していく取組みを続けております。半導体デバイス分野においては、低損失技術の開発、高速・高温動作対応および複合部品化の実装技術開発を主要テーマとして取組んでいます。パワーエレクトロニクス分野においては、主に高効率技術、高密度実装技術および低ノイズ化の研究開発を推進しています。これらの研究課題を解決し、当社のコア技術を活かしたシナジー効果により商品力強化を図るとともに、市場の要求や用途に適した新商品をタイムリーに開発してまいります。当連結会計年度におけるグループ全体の研究開発費の総額は5,821百万円（売上高比5.5％）であり、各セグメントの主な成果および研究開発費は以下のとおりであります。 （デバイス事業）当セグメントの研究開発活動として、ダイオード製品は高性能なブリッジダイオードやサージ吸収用ダイオード、SiCショットキーバリアダイオードの開発を実施しました。ウエハー大口径化と低コスト化を実現する新構造の技術開発を継続し、早期製品化に向けて推進しています。MOS製品では、車載用の低ノイズ、低Ronの第２世代MOSの耐圧やパッケージへのシリーズ展開の開発を実施したほか、第３世代となる新構造の技術開発を推進しています。またSiCMOSのシリーズ展開の開発を実施しました。パワーモジュール製品では、xEV用DC/DCコンバータ向けに低ノイズ化を実現したSiCMOSフルブリッジモジュールの開発を実施しました。くわえて顧客対応のフルカスタムモジュールや二輪用のMOSモジュールの開発を推進しています。IC製品では、理想ダイオードのマルチチップ化の製品開発を実施したほか、48Vバッテリー化対応に向けた製品開発を推進しています。当事業に係る研究開発費は2,010百万円であります。 （電装事業）当セグメントの研究開発活動として、二輪分野では、内燃機関製品向けに外部センサが不要となるモーター駆動制御や充電制御技術、バイオ燃料の使用を可能にするエンジン制御の確立を推進しています。電動車向け製品では、外部への出力可能なコンバータを搭載したPCUの技術確立に取り組みました。環境負荷低減の一環として低比重樹脂の開発も推進しています。四輪分野では、プラットフォーム技術を取り入れた高電圧入力・高出力電源の開発を含め、プラットフォーム電源のラインナップ拡充を図りました。また、高電力密度を狙ったモジュールタイプの電源の開発に着手しました。昨今、必要性が高まっているサイバーセキュリティへの対応を二輪・四輪のいずれの製品にも適用すべく技術確立を進めています。共通実装技術では、シミュレーション技術の向上としてはんだの応力解析や振動減衰の推定に取組み、製品開発のスピードアップに繋がる活動を推進しています。当事業に係る研究開発費は1,403百万円であります。 （エネルギーシステム事業）当セグメントの研究開発活動として、EV充電インフラの分野では、次期製品の電源ユニットの小型化およびディスペンサー型構造の技術開発に取り組み、三相V2Xシステムや従量課金対応型充電器の量産に向けた開発を進めました。情報・通信市場分野では、従来品に対して高効率・小型化をした通信事業者向け三相200V入力DC48V4000Aの整流装置の開発、高効率大容量に加えて耐環境性能を向上した小容量インバータの開発を行いました。当事業に係る研究開発費は621百万円であります。 （全社共通）全社共通に係る研究開発費は1,786百万円であります。

６【研究開発活動】当社グループの研究開発体制は、おもに基礎研究および応用技術開発を担当する技術開発センターと、商品開発を担当する各事業部門およびグループ会社の設計・開発部門で構成しております。企業ミッションである「エネルギーの変換効率を極限まで追求することにより、人類と社会に貢献する」のもと、技術開発センターでは当社グループの主要事業領域に新たな技術を移管していく取組みを続けております。半導体デバイス分野においては、低損失技術の開発、高速・高温動作対応および複合部品化の実装技術開発を主要テーマとして取組んでいます。パワーエレクトロニクス分野においては、主に高効率技術、高密度実装技術および低ノイズ化の研究開発を推進しています。これらの研究課題を解決し、当社のコア技術を活かしたシナジー効果により商品力強化を図るとともに、市場の要求や用途に適した新商品をタイムリーに開発してまいります。当連結会計年度におけるグループ全体の研究開発費の総額は5,611百万円（売上高比5.5％）であり、各セグメントの主な成果および研究開発費は以下のとおりであります。 （デバイス事業）当セグメントの研究開発活動として、ダイオードは高性能なファストリカバリーダイオードやブリッジダイオードさらにSiCショットキーバリアダイオードのシリーズ展開の開発を実施しました。さらにウェーハ大口径化かつ低コスト化を実現する新構造の技術開発を継続して推進しています。MOS製品では、車載用の低ノイズかつ低Ronな新構造第１世代MOSの耐圧やパッケージへのシリーズ展開の開発を実施したほか、第２世代となる新構造の技術開発を実施しました。またSiCMOSのシリーズ展開の開発を実施したほか、SiのMOSとして高耐圧となる1200Vの技術開発及びケルビン端子を搭載する面実装新パッケージの技術開発を実施しました。パワーモジュール製品では、xEV向けDC/DCコンバータ用のMOSモジュール開発を継続したほか、各種モータのインバータ用のMOSモジュールのシリーズ展開の開発を実施しています。くわえて顧客対応のフルカスタムモジュールやSiCMOSフルブリッジモジュールの開発を推進しています。IC製品では、内製二輪車用のモータドライバーICの開発を実施したほか、理想ダイオードのマルチチップ化製品の開発を推進しています。当事業に係る研究開発費は2,121百万円であります。 （電装事業）当セグメントの研究開発活動として、二輪分野では、内燃機関製品向けにセンサレスモータの駆動制御技術の確立と付加機能としてアシスト制御技術の確立を推進しています。また、電動車向け製品では、PCUのマップレス回生制御技術やサージ低減技術を確立、環境負荷低減のために樹脂モールドレス防水構造の確立を推進しています。四輪分野では、プラットフォーム技術を取り入れた高電圧入力・高出力電源の開発や付加機能としてプリチャージ機能について技術を確立しました。汎用分野では、二輪電動車向けバッテリー充電器用に昇高圧PFC技術を確立しました。共通実装技術では、製品の小型化に寄与する高密度実装技術としてリードレスのBGA、SON、QFNパッケージの採用に向けた実装技術の確立に取組んでいます。更に、シミュレーション技術の向上としてゴム解析や樹脂流動解析に取組むなど、製品開発のフロントローディングに繋がる活動を推進しています。当事業に係る研究開発費は1,339百万円であります。 （エネルギーシステム事業）当セグメントの研究開発活動として、EV・PHEV用充電器では、高出力急速充電器の製品ラインナップを拡充すると共に重要顧客向けカスタム対応の開発に取組みました。その他、OCPPネットワークと接続可能な普通充電器を開発しました。情報・通信市場分野では、高効率・小型化した大容量48V電源ユニット製品の開発を行いました。また、共通技術として監視装置用マイコンプラットフォームとして64bitCPUボード検討と共通ソフトウェアの技術開発に取組みました。当事業に係る研究開発費は431百万円であります。 （全社共通）全社共通に係る研究開発費は1,719百万円であります。

６【研究開発活動】当社グループの研究開発体制は、おもに基礎研究および応用技術開発を担当する技術開発センターと、商品開発を担当する各事業部門およびグループ会社の設計・開発部門で構成しております。企業ミッションである「エネルギーの変換効率を極限まで追求することにより、人類と社会に貢献する」のもと、技術開発センターでは当社グループの主要事業領域に新たな技術を移管していく取り組みを続けております。半導体デバイス分野においては、低損失技術の開発、高速・高温動作対応および複合部品化の実装技術開発を主要テーマとして取り組んでいます。パワーエレクトロニクス分野においては、主に高効率技術、高密度実装技術および低ノイズ化の研究開発を推進しています。さらに、新たな事業領域を広げていくためロボティクスなど新規分野への取り組みも行っております。これらの研究課題を解決し、当社のコア技術を活かしたシナジー効果により商品力強化を図るとともに、市場の要求や用途に適した新商品・新技術をタイムリーに開発してまいります。当連結会計年度におけるグループ全体の研究開発費の総額は4,677百万円（売上高比4.6％）であり、各セグメントの主な成果および研究開発費は以下のとおりであります。 （デバイス事業）当セグメントの研究開発活動として、ダイオードは1000Vの大電流対応ブリッジダイオードや超高効率なブリッジダイオードの新製品の開発を実施しました。さらにウェーハ大口径化かつ低コスト化を実現する新構造の技術開発を継続して推進しています。またサイリスタ製品でも、高性能な新構造の新製品の開発を実施しました。MOS製品では、車載用LFパッケージの１素子搭載品、２素子搭載品それぞれで、耐圧や電流の豊富なバリエーションの新製品シリーズの開発を実施しました。さらに低ノイズかつ低Ronな新構造第１世代の新製品の開発を実施したほか、第２世代となる新構造の技術開発を推進しています。またSiやSiCのMOSとして高耐圧となる1200～1700Vに対応し、ケルビン端子を搭載する面実装新パッケージの技術開発を推進しています。パワーモジュール製品では、xEV向けDCDCコンバータ用のMOSモジュール開発を実施したほか、各種モータのインバータ用のMOSモジュール開発を実施しています。くわえてディスクリート製品では特性実現が難しいSiダイオードやSiCMOSチップを搭載した新規構造の新モジュール開発を推進しています。IC製品では、車載向けを中心に、中耐圧のモータドライバーICの開発を実施したほか、理想ダイオードと呼ぶ出力部を内蔵するICやコントロール部だけのICの開発を実施しました。当事業に係る研究開発費は1,826百万円であります。 （電装事業）当セグメントの研究開発活動として、二輪分野では、脱炭素への対応として内燃機関製品に対し環境規制OBDⅡ対応への技術開発を継続し、電動車向け製品ではモータ駆動関連技術としてレゾルバセンサや三相電流センサを用いたソフト制御技術の確立を行いました。四輪分野では、プラットフォーム電源の車両要求信頼性を確保するための技術確立とラインナップ拡充として防水タイプの開発に取り組みました。汎用分野では、インバータ製品の小型・大電力化への先行技術としてGaNデバイスを使用した並列安定動作の技術確立を推進しました。また、共通実装技術としては、接続技術の向上として超音波金属接合やギ酸を用いたはんだ付けの要素開発に取り組み、各種データを取得することで製品への適用検討を行いました。当事業に係る研究開発費は541百万円であります。 （その他）当セグメントの研究開発活動として、EV・PHEV用充電器では、高出力急速充電器の製品ラインナップを拡充しました。その他に普通充電器の高出力製品を開発し、量産の準備を開始しました。情報・通信市場分野では、高効率・小型化した小容量48V電源装置の製品を開発し、量産を開始しました。共通技術として小型・高効率化に向けた電源変換部の技術開発を継続推進しました。当事業に係る研究開発費は467百万円であります。 （全社共通）全社共通に係る研究開発費は1,841百万円であります。

５【研究開発活動】当社グループの研究開発体制は、おもに基礎研究および応用技術開発を担当する技術開発センターと、商品開発を担当する各事業部門およびグループ会社の設計・開発部門で構成しております。企業ミッションである「エネルギーの変換効率を極限まで追求することにより、人類と社会に貢献する」のもと、技術開発センターでは当社グループの主要事業領域に新たな技術を移管していく取り組みを続けております。半導体デバイス分野においては、低損失技術の開発、高速・高温動作対応および複合部品化の実装技術開発を主要テーマとして取り組んでいます。パワーエレクトロニクス分野においては、主に高効率技術、高密度実装技術および低ノイズ化の研究開発を推進しています。さらに、新たな事業領域を広げていくためロボティクスなど新規分野への取組みも開始いたしました。これらの研究課題を解決し、当社のコア技術を活かしたシナジー効果により商品力強化を図るとともに、市場の要求や用途に適した新商品をタイムリーに開発してまいります。当連結会計年度におけるグループ全体の研究開発費の総額は4,088百万円（売上高比4.4％）であり、各セグメントの主な成果および研究開発費は以下のとおりであります。 （デバイス事業）当セグメントの研究開発活動として、ダイオード製品は新構造の要素技術開発を進め、ウェーハ大口径化など低コストの源流設計を継続して推進しています。サイリスタ製品では、当社独自開発の構造で800V及び1600Vの開発を実施したほか、トライアックの800Vも開発を進めています。MOS製品では、当社独自構造を採用した低ノイズなNch中耐圧MOSの開発を実施したほか、SiのMOSとしては超高耐圧となる1200Vの開発を進めています。また、当社初のPch低耐圧MOSの開発を完了し、製品のシリーズ化を推進しています。パッケージについては、小型化・大電流化・高品質化に対応する10×11㎜サイズで、SiCMOSの効率的動作には欠かせないケルビン端子を搭載する面実装パッケージ開発を完了しました。パワーモジュール製品では、xEV向けのカスタムモジュールについて当社独自の技術や最適化された高性能内製チップを利用した開発を完了しました。くわえて大電流化や高周波化に対応したSiCやGaNチップを搭載したモジュール開発を実施し、特にSiCチップ搭載モジュールでは顧客と連携した開発を推進しています。IC製品では、モビリティ向けを中心に当社の回路設計技術を活かし、微細な生産ラインは外部に委託することで、機能、品質、コスト面で競争力のあるIC開発を完了しました。当事業に係る研究開発費は1,534百万円であります。 （電装事業）当セグメントの研究開発活動として、二輪分野では、脱炭素への対応として内燃機関向け製品に対し環境規制OBDⅡへ対応する技術開発を行い、電動車向け製品にはドライバビリティ向上のため制御ソフトの開発にくわえ、構造面では対環境性、組立性、低価格に対応した端子台の開発を行いました。四輪分野では、コアの部分を共通設計としたプラットフォーム電源の２kW品の開発を進め、放熱性、耐震性、絶縁性に優れたトランスファータイプのトランスを開発し、省人化や電源バリエーション拡大に寄与できる技術開発を推進しました。汎用分野では、HILSを使用したインバータ制御技術開発を推進し、モデルベースデザインの導入に向けた検討を行いました。更に全製品群へ活用可能な技術として、ねじ締結、レーザーはんだ付に関する要素開発に取り組み、各種データを取得することで製品設計への適用準備を行いました。当事業に係る研究開発費は986百万円であります。 （その他）当セグメントの研究開発活動として、情報・通信市場分野では、通信用ビル・移動体基地局向けの高効率・中容量48V電源装置のラインナップを拡充しました。そのほかに高効率・小容量48V電源ユニットの開発を行い、小容量48V電源装置の製品開発に着手しました。共通技術として小型・高効率化に向けた電源変換部の技術開発を継続推進しました。当事業に係る研究開発費は245百万円であります。 （全社共通）全社共通に係る研究開発費は1,321百万円であります。

５【研究開発活動】当社グループの研究開発体制は、おもに基礎研究および応用技術開発を担当する技術開発センターと、商品開発を担当する各事業部門およびグループ会社の設計・開発部門で構成されております。企業ミッション、「エネルギーの変換効率を極限まで追求することにより、人類と社会に貢献する」のもと、技術開発センターでは当社グループの主要事業領域に新たな技術を移管していく取り組みを続けております。半導体デバイス分野においては、低損失技術の開発、高速・高温動作対応および複合部品化の実装技術開発を主要テーマとして取り組んでいます。パワーエレクトロニクス分野においては、主に高効率技術、高密度実装技術および低ノイズ化の研究開発を推進しています。さらに、新たな事業領域を広げていくため外部の研究機関との開発に取り組んでいます。これらの研究課題を解決し、当社のコア技術を活かしたシナジー効果により商品力強化を図るとともに、市場の要求や用途に適した新商品をタイムリーに開発してまいります。当連結会計年度におけるグループ全体の研究開発費の総額は4,964百万円（売上高比6.2％）であり、各セグメントの主な成果および研究開発費は以下のとおりであります。 （デバイス事業）当セグメントの研究開発活動として、ダイオード製品では、業界において最高水準の低VFブリッジダイオードや、世界をリードする高雷サージ耐量ブリッジダイオードの製品開発を実施したほか、新構造ダイオードの要素技術となる半絶縁膜の基礎開発や、ガラス印刷技術の基礎開発を継続して推進しています。MOS製品では、新しい構造を採用したNch低耐圧MOS・Nch高耐圧MOSの製品開発を進めました。また、650Vや1200VのSiCMOSの製品開発や当社初のPch低耐圧MOSの開発にも着手しました。パッケージについては、小型化・大電流化・高品質化に対応する５×６㎜サイズで独立２素子を搭載するパッケージ開発を完了しました。パワーモジュール製品では、モビリティ向け、産業機器向けの汎用製品を中心に開発品種を拡充したほか、モビリティ向けのカスタム製品についても当社独自の技術を利用した開発を強化してきました。くわえて大電流化や高周波化に対応したSiCMOSやGaNHEMTチップを搭載したモジュール開発を実施し、様々な顧客へサンプル提供を開始しています。IC製品では、モビリティ向けICの開発に着手しました。当社の回路設計技術を活かし、微細な生産ラインは外部に委託することで、機能、品質、コスト面で競争力のあるIC開発を推進しています。当事業に係る研究開発費は2,015百万円であります。 （電装事業）当セグメントの研究開発活動は、二輪・四輪・汎用の3つの分野で行いました。二輪分野では、来るべき電動二輪車対応として次世代モーター制御の主流となるセンサレス技術に関するソフトウェアを開発し、価格競争力のあるPCUの開発を推進しました。四輪分野では、車種ごとに多様化する電源の仕様に対応すべく、コアの部分を共通設計としたプラットフォーム化を進め、性能と、省人化によるコスト競争力の両立に向けた技術開発を継続推進しました。汎用分野では、エンジン発電機用途で培ったインバータ技術を活かし、二次電池や燃料電池を利用したシステムに向けた製品の開発を推進しました。更にあらゆる製品へ活用可能な接続の強度や耐久性等の要素開発に取り組み、各種データの取得を実施いたしました。当事業に係る研究開発費は1,290百万円であります。 （エネルギーシステム事業）当セグメントの研究開発活動として、情報・通信市場分野では、通信ビル用の高効率中容量電源装置を開発しました。その他に電源装置に搭載する出力48V電源ユニットのリニューアル化を行い、量産の準備を開始しました。また、共通技術として小型・高効率化に向けた電源変換部の技術開発に取り組みました。当事業に係る研究開発費は233百万円であります。 （全社共通）全社共通に係る研究開発費は1,424百万円であります。

５【研究開発活動】当社グループの研究開発体制は、おもに基礎研究および応用技術開発を担当する技術開発センターと、商品開発を担当する各事業部門およびグループ会社の設計・開発部門で構成されております。企業ミッション、「エネルギーの変換効率を極限まで追求することにより、人類と社会に貢献する」のもと、技術開発センターでは当社グループの主要事業領域に新たな技術を移管していく取り組みを続けております。半導体デバイス分野においては、低損失技術の開発、高温動作対応および複合部品化の実装技術開発などを主要テーマとして取り組んでいます。パワーエレクトロニクス分野においては、主に高効率技術、高密度実装技術および低ノイズ化の研究開発を推進しています。さらに、半導体製造技術を応用し新たな事業領域を広げていくため外部の研究機関との開発に取り組んでいます。これらの研究課題を解決し、当社のコア技術を活かしたシナジー効果により商品力強化を図るとともに、市場の要求や用途に適した新商品をタイムリーに開発してまいります。 当連結会計年度におけるグループ全体の研究開発費の総額は5,035百万円（売上高比5.4％）であり、各セグメントの主な成果および研究開発費は以下のとおりであります。 （デバイス事業）当セグメントの研究開発活動として、ダイオード製品では、高耐圧・大電流化したブリッジダイオード、高温保証・ハロゲンフリー化したブリッジダイオード、高性能・低コスト化したブリッジダイオードの開発を実施したほか、650Vおよび1200VのＳｉＣショットキーバリアダイオードの開発を完了しました。スイッチング素子では、従来品より微細化し性能を向上させたモビリティ向け低・高耐圧ＭＯＳＦＥＴ用の新チップの開発にくわえ、大電流に対応したパッケージを新規で各種開発し、車載用電子部品信頼性規格のＡＥＣ－Ｑ１０１に対応した新商品を多数量産化しました。又次世代の新構造としていく低・高耐圧ＭＯＳＦＥＴの開発も実施し、量産化に向けた評価を開始したほか、650Vや1200VのＳｉＣＭＯＳＦＥＴの開発を実施しました。ＩＣ製品では、モビリティ向けや家電向けＬＥＤライト用制御ＩＣやモータードライバー用制御ＩＣを開発・量産化いたしました。パワーモジュール製品では、モビリティ向けを中心に開発品種を拡充したほか、大電流化や高周波化に対応したＳｉＣＭＯＳやＧａＮＨＥＭＴチップを搭載したモジュール開発を実施し、量産化に向けた評価を開始しました。当事業に係る研究開発費は1,911百万円であります。 （電装事業）当セグメントの研究開発活動として、二輪車分野では、アイドリングストップ機能搭載ＥＣＵの競争力強化のため、小型、高機能、低コストを追求した開発の継続にくわえ、顧客へのシステム提案を可能にし強固な拡販体制を構築するため車両評価技術の習得を推進いたしました。また、二輪車が電動化にシフトしていく流れのなかで、価格競争力のあるＰＣＵの開発にも着手いたしました。四輪車分野では、複雑・高度化するシステムのなかで、価格優位性を打ち出すために電源のプラットフォーム化に取り組み、作り易さを追求することで省人化に向けた技術開発を推進いたしました。汎用分野では、エンジン発電機用途で培ったインバータ技術を活かし、二次電池や燃料電池を利用したシステムに向けた製品の開発を推進しました。また、共通技術として先端技術を取り入れた製品開発をするための、基礎研究の取り組みを強化・推進をいたしました。当事業に係る研究開発費は1,239百万円であります。 （その他）当セグメントの研究開発活動として、情報・通信市場分野では、移動体基地局用の高効率中容量電源装置を開発し、量産を開始いたしました。その他に交流給電の信頼性を向上させた高効率インバータ装置を開発し、量産の準備を開始しました。当事業に係る研究開発費は241百万円であります。 （全社共通）全社共通に係る研究開発費は1,643百万円であります。

５【研究開発活動】当社グループの研究開発体制は、おもに基礎研究および応用技術開発を担当する技術開発センターと、商品開発を担当する各事業部門およびグループ会社の設計・開発部門で構成されております。企業ミッション、「エネルギーの変換効率を極限まで追求することにより、人類と社会に貢献する」のもと、技術開発センターでは当社グループの主要事業領域に新たな技術を移管していく取り組みを続けております。半導体デバイス分野においては、低損失技術の開発、複合部品化の実装技術開発およびＩＣ製品の製造プロセス技術の開発などを主要テーマとして取り組んでおります。パワーエレクトロニクス分野においては、主に高効率技術、高密度実装技術および低ノイズ化の研究開発を推進しております。さらに、半導体製造技術を新たな分野へ展開すべく外部の研究機関との開発に取り組んでおります。これらの研究課題を解決し、当社のコア技術を活かしたシナジー効果による商品力強化を図るとともに、市場の要求や用途に適した新商品をタイムリーに開発してまいります。 当連結会計年度におけるグループ全体の研究開発費の総額は5,562百万円（売上高比5.9％）であり、各セグメントの主な成果および研究開発費は以下のとおりであります。 （デバイス事業）当セグメントの研究開発活動として、ダイオード製品では、モビリティ向けを中心に高耐圧・大電流化の開発を実施したほか、650Ｖおよび1200ＶのＳｉＣショットキーバリアダイオードの開発も推進いたしました。スイッチング素子では、モビリティ向けに従来品より微細化し性能を向上させた低耐圧ＭＯＳＦＥＴで、新製品のラインナップを拡充したほか、新構造となるＭＯＳＦＥＴの開発も推進いたしました。ＩＣ製品では、ＬＥＤライト用制御ＩＣやモータードライバー用制御ＩＣを開発・量産化いたしました。パワーモジュール製品では、モビリティ向けを中心に開発品種を拡充したほか、ＳｉＣＭＯＳチップやＧａＮトランジスタチップを搭載した製品開発も推進いたしました。当事業に係る研究開発費は2,328百万円であります。 （電装事業）当セグメントの研究開発活動として、二輪車分野では、小型、低コスト化を目指した次世代アイドリングストップ機能搭載ＥＣＵの開発のほか、異業種とアライアンスを組み、顧客へのシステム提案に向けた開発などを推進いたしました。また、二輪車の電動化拡大の流れを見据え、ＰＣＵの量産化に向けた開発を開始いたしました。四輪車分野では、近年の小型、低コスト化への強い要求に応えるため新たな技術を取り込んだＤＣ／ＤＣコンバータや車載用充電器の開発を推進いたしました。汎用分野では、エンジン発電機用途で培ったインバータ技術を活かし、車載をはじめとした新たな用途で二次電池、燃料電池を利用したシステムに向けた製品の開発を開始いたしました。当事業に係る研究開発費は1,120百万円であります。 （エネルギーシステム事業）当セグメントの研究開発活動として、ＥＶ・ＰＨＥＶ用充電器では、充電時間を短縮した高出力、かつ複数出力対応した急速充電器を開発し、量産を開始いたしました。情報・通信市場分野では、今後の普及拡大が見込まれる５Ｇ投資をターゲットに、移動体基地局用の高効率小容量電源装置を開発し、量産を開始いたしました。当事業に係る研究開発費は184百万円であります。 （全社共通）全社共通に係る研究開発費は1,930百万円であります。

５【研究開発活動】当社グループの研究開発体制は、おもに基礎研究および応用技術開発を担当する技術開発センターと、商品開発を担当する各事業部門およびグループ会社の設計・開発部門で構成されております。企業ミッション、「エネルギーの変換効率を極限まで追求することにより、人類と社会に貢献する」のもと、技術開発センターでは当社グループの主要事業領域に新たな技術を移管していく取り組みを続けております。半導体デバイス分野においては、低損失技術の開発、高温動作対応および複合部品化の実装技術開発などを主要テーマとして取り組んでいます。パワーエレクトロニクス分野においては、主に高効率技術、高密度実装技術および低ノイズ化の研究開発を推進しています。さらに、半導体製造技術を新たな分野へ展開すべく外部の研究機関との開発に取り組みました。これらの研究課題を解決し、当社のコア技術を活かしたシナジー効果により商品力強化を図るとともに、市場の要求や用途に適した新商品をタイムリーに開発してまいります。 当連結会計年度におけるグループ全体の研究開発費の総額は54億95百万円（売上高比6.0％）であり、各セグメントの主な成果および研究開発費は以下のとおりであります。 デバイス事業当セグメントの研究開発活動として、ダイオード製品では、モビリティ向けを中心に高耐圧化・高速化の開発にくわえ、大電流対応の新パッケージの開発を実施したほか、ＳｉＣショットキーバリアダイオードの開発も推進いたしました。スイッチング素子としては、従来品より微細化し、性能を向上させたモビリティ向け低耐圧ＭＯＳＦＥＴなどを開発したほか、大電流対応の新パッケージの開発を実施いたしました。ＩＣ製品では、モビリティ向けや家電向けＬＥＤライト用制御ＩＣを開発・量産化いたしました。パワーモジュール製品では、モビリティ向けを中心に開発品種を拡充したほか、次世代半導体を搭載した製品開発も推進いたしました。当事業に係る研究開発費は21億８百万円であります。 電装事業当セグメントの研究開発活動として、二輪車分野では、小型、低コスト化を目指した次期アイドリングストップ機能搭載ＥＣＵの開発を開始したほか、顧客へのシステム提案に向け、異業種とのアライアンスによる開発も推進いたしました。四輪車分野では、ＥＣＵや車載用充電器など開発で培った基礎技術をもとに、小型、低コスト化に向けた製品開発を開始いたしました。汎用分野では、同分野で培ったインバータ技術を活かし、車載をはじめとした新たな分野への技術展開を進めました。当事業に係る研究開発費は13億39百万円であります。 新エネルギー事業当セグメントの研究開発活動として、新エネルギー分野では、クラウド監視も可能な太陽光発電用パワーコンディショナの遠隔制御／監視装置の機能をさらに拡充した製品を開発、量産を開始いたしました。ＥＶ・ＰＨＥＶ用充電器では、バッテリーの大容量化を見据え、短時間で充電可能な高出力対応の急速充電器を開発し、量産の準備を開始いたしました。情報・通信市場分野では、移動体基地局用の小型・高効率小容量電源装置の開発に着手いたしました。当事業に係る研究開発費は５億63百万円であります。 全社共通全社共通に係る研究開発費は14億84百万円であります。

６【研究開発活動】当社グループの研究開発体制は、おもに基礎研究および応用技術開発を担当する技術開発センターと、製品開発を担当する各事業部門およびグループ会社の設計・開発部門で構成されております。研究開発の主要テーマは、当社グループの半導体デバイス分野におきましては、低損失技術の開発、高温動作対応および複合部品化の技術開発など、また、パワーエレクトロニクス分野におきましては、高効率技術の開発、低ノイズ化の研究および高密度実装開発などがあります。これらの研究課題を解決し、市場の要求および用途に適した新製品をタイムリーに開発してまいります。さらには、半導体技術を活用した新技術および新製品の開発、各事業本部の得意技術を活かしたシナジー効果による商品力強化を推進しております。 当連結会計年度におけるグループ全体の研究開発費の総額は50億43百万円（売上高比5.4％）であり、各セグメントの主な成果および研究開発費は以下のとおりであります。 デバイス事業当セグメントの研究開発活動として、ダイオード製品では、モビリティ向けを中心に大電流製品の開発を行ったほか、産業機器向け高耐圧大電流ダイオードの開発を進めました。スイッチング素子としては、低耐圧ＭＯＳＦＥＴの開発を実施したほか、トライアック製品のラインアップを拡充いたしました。ＩＣ製品では、モビリティ向け低入力電圧駆動ドライバＩＣやＬＥＤ照明向け制御ＩＣの開発を進めました。パワーモジュール製品では、モビリティ向けに多数の品種の開発を実施いたしました。さらに、次世代半導体を搭載した、パワーモジュールについての研究開発も進めており、電源に搭載しての評価を実施いたしました。当事業に係る研究開発費は21億40百万円であります。 電装事業当セグメントの研究開発活動として、二輪車分野ではＡＳＥＡＮ地域におけるスクーター向けアイドリングストップ機能搭載ＥＣＵ（電子制御ユニット）の派生モデルを開発および量産を開始するとともに、インド向けＥＣＵの開発を着手いたしました。四輪車分野では、シャーシ系ＥＣＵや小型・高効率車載電源などの派生モデルが量産となったほか、タイ生産拠点でのＥＣＵ生産が本格化いたしました。次期モデルに向けて小型化、低価格化を満足するために必要な基礎技術の開発を開始いたしました。当事業に関わる研究開発費は10億27百万円であります。 新エネルギー事業当セグメントの研究開発活動として、新エネルギー分野では、発電容量を向上した太陽光発電向けパワーコンディショナのラインアップを拡充したほか、オプション機能の充実化を図りました。また、パワーコンディショナのデータ収集、制御機能を備えたクラウド監視・計測装置の量産を開始いたしました。ＥＶ・ＰＨＥＶ用充電器については、ＥＶの駆動用バッテリーの大容量化を見据え、高出力急速充電器の開発を開始いたしました。情報・通信市場分野では、高効率の中容量高電圧直流（ＨＶＤＣ）給電システムや、交流給電の信頼性を向上させた高効率インバータ装置を開発し、量産を開始いたしました。当事業に係る研究開発費は４億74百万円であります。 全社共通全社共通に係る研究開発費は14億１百万円であります。

６【研究開発活動】当社グループの研究開発体制は、おもに基礎研究および応用技術開発を担当する技術開発センターと、製品開発を担当する各事業部門およびグループ会社の設計・開発部門で構成されております。企業ミッション、「エネルギーの変換効率を極限まで追求することにより、人類と社会に貢献する」のもと、技術開発センターでは当社グループの主要事業領域に新たな技術を移管していく取り組みを続けております。研究開発の主要テーマは、当社グループの半導体デバイス分野におきましては、低損失技術の開発、高温動作対応および複合部品化の技術開発など、また、パワーエレクトロニクス分野におきましては、高効率技術の開発、低ノイズ化の研究および高密度実装開発などがあります。これらの研究課題を解決し、市場の要求および用途に適した新製品をタイムリーに開発してまいります。さらに各事業本部の得意技術を活かし、シナジー効果による商品力強化を推進しております。 当連結会計年度におけるグループ全体の研究開発費の総額は49億90百万円（売上高比5.1％）であり、各セグメントの主な成果および研究開発費は以下のとおりであります。 デバイス事業当セグメントの研究開発活動として、ダイオード製品ではモビリティ市場向けを中心に製品ラインアップを拡充したほか、次世代半導体デバイスである1200ＶのＳｉＣ（炭化ケイ素）ショットキーバリアダイオードの開発を進めました。スイッチング素子としては、新世代低耐圧ＭＯＳＦＥＴやトライアック製品の開発を行い、サイリスタ製品のラインアップを拡充いたしました。また、ＩＣ製品でも電源用ＩＣのラインアップも拡充したほか、ＬＥＤ照明向け制御ＩＣの開発を行い、量産を開始いたしました。パワーモジュール製品では、産業機器向けや車載向けに開発を行い、量産を開始いたしました。さらに、次世代半導体を搭載した、パワーモジュールについての研究開発も進めております。当事業に係る研究開発費は20億81百万円であります。 電装事業当セグメントの研究開発活動として、二輪車分野ではＡＳＥＡＮ地域における廉価モデルのスクーター向けアイドリングストップ機能搭載ＥＣＵ（電子制御ユニット）を開発、派生モデルに製品展開をすると共に量産を開始することができました。また、次期モデルの開発を進めました。四輪車分野では、近年開発を進めてきたシャーシ系ＥＣＵや小型・高効率車載電源の開発を行い、量産を開始いたしました。既存のモデルを基本形とし、製品展開させた派生モデルの開発も行うと共に、各種機能を進化させた次期モデルの開発を開始いたしました。当事業に関わる研究開発費は12億13百万円であります。 新エネルギー事業当セグメントの研究開発活動として、新エネルギー分野では、太陽光発電向けパワーコンディショナのラインアップ拡充を行いました。また、パワーコンディショナのデータ収集、制御機能を備えた監視・計測装置を開発し、量産準備を始めました。ＥＶ／ＰＨＥＶ用充電器については、製品認証機関の基準に適合した壁掛けタイプの普通充電器の開発を行い、量産を開始いたしました。情報・通信分野では、高い給電効率と施工性向上を目的としたＨＶＤＣ（高電圧直流給電）システム向けに、ＨＶＤＣ入力通信装置と従来の48Ｖ入力通信装置の両方に給電可能なデュアル出力の小容量ＨＶＤＣ電源装置を開発し、量産を開始いたしました。当事業に係る研究開発費は５億43百万円であります。 全社共通全社共通に係る研究開発費は11億52百万円であります。