オキサイド

６【研究開発活動】当連結会計年度の研究開発活動は、基盤技術開発と製品開発の二つの分野に区分されます。製品開発は、さらに、新製品開発と既存製品の改良開発に区分されます。基盤技術開発及び新製品開発は、主として新領域事業において行っております。既存製品の改良開発は、半導体、ヘルスケア、新領域の各事業において行っております。独自開発のみならず、ユーザーや大学等との共同研究開発も積極的に進めております。 当連結会計年度における当社グループが支出した研究開発費の総額は1,203百万円であります。 当連結会計年度における各区分の主要な研究開発の概要は以下のとおりです。 なお、当社グループは、光学事業の単一セグメントでありますので、セグメント別の記載を省略しております。 （１）基盤技術開発 当社グループは、当社グループの保有するコアテクノロジ技術の深耕として、新たな特性を持つ単結晶材料の探索や、新たな単結晶育成技術の開発、レーザ光源の高出力化、短波長化、高機能化の技術開発に取り組んでおります。 （２）製品開発 当社グループは、従来から保有する基盤技術及び（１）で開発した基盤技術を利用して、新製品開発、既存製品の改良開発に取り組んでおります。① 新製品開発 光学技術の応用分野は拡大を続けております。当連結会計年度は、単結晶においては、成長著しいパワー半導体分野（SiC単結晶、β型酸化ガリウム単結晶）に注力しております。レーザにおいては、量子コンピュータ・量子通信技術関連、半導体後工程・光電融合への応用を目指した微細加工、その他新たな用途に向けた開発を行っております。量子コンピュータ向けでは、量子状態を制御する302 nmレーザの製品化・出荷を達成し、さらに異なる波長のレーザの開発にも着手しております。また、量子通信においては、量子もつれ光子対光源モジュールを開発しております。また、次世代の半導体検査装置用213 nm、244 nm、257 nmレーザや最先端の材料分析技術である光電子分光用114 nmレーザの開発・製品化に注力しております。 ② 既存製品の改良開発 当社グループの主力製品である波長266 nmレーザについて、高出力化・高信頼化を進めると共に、需要増に対応するための量産技術開発やサプライチェーン強靭化に向けた主要部品の内製化を推進しております。 製品開発の例開発中の製品期待される主な用途単結晶・デバイスGPS単結晶放射能汚染モニタリング、セキュリティ、石油探査用の放射線検出器アイソレータ用単結晶５G・データセンタ通信用デバイスGaN用基板単結晶可視光レーザ、高周波デバイス、パワー半導体SiC単結晶パワー半導体β型酸化ガリウム単結晶パワー半導体蛍光体単結晶・デバイスレーザ照明、水銀ランプ代替、プロジェクタ光源量子もつれ光子対光源長距離量子通信、量子もつれ光子対光源、量子中継器TFLN（薄膜ニオブ酸リチウム）光電融合レーザ114 nmパルスレーザ光電子分光266 nmパルスレーザ半導体後工程、光電融合CW/QCW213 nmレーザ半導体検査装置、最先端計測、フォトマスク描画CW257.5 nmレーザ半導体リソグラフィパターン高速検査CW302 nmレーザ中性原子型量子コンピュータ

６【研究開発活動】 当連結会計年度の研究開発活動は、基盤技術開発と製品開発の二つの分野に区分されます。製品開発は、さらに、新製品開発と既存製品の改良開発に区分されます。基盤技術開発は、主として新領域事業において行っております。新製品開発は、主として新領域事業において、既存製品の改良開発は、新領域、半導体、ヘルスケアの各事業において行っております。独自開発のみならず、ユーザーや大学等との共同研究開発も積極的に進めております。 当連結会計年度における当社グループが支出した研究開発費の総額は1,296百万円であります。 当連結会計年度における各区分の主要な研究開発の概要は以下のとおりです。 なお、当社グループは、光学事業の単一セグメントでありますので、セグメント別の記載を省略しております。 （１）基盤技術開発 当社グループは、当社グループの保有するコアテクノロジ技術の深耕として、新たな特性を持つ単結晶材料の探索や、新たな単結晶育成技術の開発、レーザ光源の高出力化や短波長化の技術開発に取り組んでおります。 （２）製品開発 当社グループは、（１）の基盤技術開発を利用して、新製品開発、既存製品の改良開発に取り組んでおります。① 新製品開発 光学技術の応用分野は拡大を続けております。当連結会計年度は、単結晶においては、成長著しいパワー半導体分野（SiC単結晶、β型酸化ガリウム単結晶）に注力しております。レーザにおいては、次世代の半導体検査装置用213nm、244nm、257nmレーザや最先端の材料分析技術である光電子分光用114nmレーザの開発・製品化に注力しております。量子関連技術については、量子もつれ光子対光源モジュールなどの量子通信を実現するモジュールを開発しております。 ② 既存製品の改良開発 当社グループの主力製品である波長266nmレーザについて、高出力化・高信頼化を進めると共に、需要増に対応するための量産技術開発やサプライチェーン強靭化に向けた主要部品の内製化を推進しております。 製品開発の例開発中の製品期待される主な用途単結晶・デバイスGPS単結晶放射能汚染モニタリング、セキュリティ、石油探査、医用SPECT装置アイソレータ用単結晶５G・データセンタ通信用デバイスGaN用基板単結晶可視光レーザ、高周波デバイス、パワー半導体SiC単結晶パワー半導体β型酸化ガリウム単結晶パワー半導体蛍光体単結晶・デバイスレーザ照明、水銀ランプ代替、プロジェクタ光源量子通信デバイス長距離量子通信、量子もつれ光子対光源、量子中継器レーザCW/QCW213nmレーザ半導体検査装置、最先端計測114nmレーザ光電子分光フェムト秒レーザ電子部品等のマイクロ加工、ディスプレイのリペアマスク描画用レーザフォトマスク、露光機257.5nm深紫外レーザ半導体リソグラフィパターンの高速検査

６【研究開発活動】 当連結会計年度の研究開発活動は、基盤技術開発と製品開発の二つの分野に区分されます。製品開発は、さらに、新製品開発と既存製品の改良開発に区分されます。基盤技術開発は、主として新領域事業において行っております。新製品開発は、主として新領域事業において、既存製品の改良開発は、新領域、半導体、ヘルスケアの各事業において行っております。独自開発のみならず、ユーザーや大学等との共同研究開発も積極的に進めております。 当連結会計年度における当社グループが支出した研究開発費の総額は1,049百万円であります。 当連結会計年度における各区分の主要な研究開発の概要は以下のとおりです。 なお、当社グループは、光学事業の単一セグメントでありますので、セグメント別の記載を省略しております。 （１）基盤技術開発 当社グループは、当社グループの保有するコアテクノロジ技術の深耕として、新たな特性を持つ単結晶材料の探索や、新たな単結晶育成技術の開発、レーザ光源の高出力化や短波長化の技術開発に取り組んでおります。 （２）製品開発 当社グループは、（１）の基盤技術開発を利用して、新製品開発、既存製品の改良開発に取り組んでおります。① 新製品開発 光学技術の応用分野は拡大を続けております。当連結会計年度は、単結晶においては、成長著しいパワー半導体分野（SiC単結晶、β型酸化ガリウム単結晶）に注力しております。レーザにおいては、次世代の半導体検査装置用213nm、244nm、257nmレーザや最先端の材料分析技術である光電子分光用114nmレーザの開発・製品化に注力しております。量子関連技術については、量子もつれ光子対光源モジュールなどの量子通信を実現するモジュールを開発しております。 ② 既存製品の改良開発 当社グループの主力製品である波長266nmレーザについて、高出力化・高信頼化を進めると共に、需要増に対応するための量産技術開発やサプライチェーン強靭化に向けた主要部品の内製化を推進しております。 製品開発の例開発中の製品期待される主な用途単結晶・デバイスGPS単結晶放射能汚染モニタリング、セキュリティ、石油探査、医用SPECT装置アイソレータ用単結晶５G・データセンタ通信用デバイスGaN用基板単結晶可視光レーザ、高周波デバイス、パワー半導体SiC単結晶パワー半導体β型酸化ガリウム単結晶パワー半導体蛍光体単結晶・デバイスレーザ照明、水銀ランプ代替、プロジェクタ光源量子通信デバイス長距離量子通信、量子もつれ光子対光源、量子中継器レーザCW/QCW213nmレーザ半導体検査装置、最先端計測114nmレーザ光電子分光フェムト秒レーザ電子部品等のマイクロ加工、ディスプレイのリペアマスク描画用レーザフォトマスク、露光機

５【研究開発活動】 当事業年度の研究開発活動は、基盤技術開発と製品開発の二つの分野に区分されます。製品開発は、さらに、新製品開発と既存製品の改良開発に区分されます。基盤技術開発は、主として光計測・新領域事業において行っております。新製品開発は、主として光計測・新領域事業において、既存製品の改良開発は、光計測・新領域、半導体、ヘルスケアの各事業において行っております。独自開発のみならず、ユーザーや大学等との共同研究開発も積極的に進めております。 当事業年度における当社が支出した研究開発費の総額は675百万円であります。 当事業年度における各区分の主要な研究開発の概要は以下のとおりです。 なお、当社は、光学事業の単一セグメントでありますので、セグメント別の記載を省略しております。 （１）基盤技術開発 当社は、当社の保有するコアテクノロジ技術の深耕として、新たな特性を持つ単結晶材料の探索や、新たな単結晶育成技術の開発、レーザ光源の高出力化や短波長化の技術開発に取り組んでおります。新たな取り組みとして、基盤技術である波長変換技術とモジュール化技術を融合することにより、量子技術分野におけるデバイス開発を開始しました。 （２）製品開発 当社は、（１）の基盤技術開発を利用して、新製品開発、既存製品の改良開発に取り組んでおります。① 新製品開発 光学技術の応用分野は拡大を続けております。当事業年度は、単結晶においては、成長著しいパワー半導体分野（SiC単結晶、GaN用基板単結晶）に注力しております。レーザにおいては、次世代の半導体検査装置用213nmレーザや最先端の材料分析技術である光電子分光用114nmレーザの開発に注力しております。量子関連技術については、量子もつれ光源などの量子通信を実現するモジュール開発を開始しました。 ② 既存製品の改良開発 当社にて製品として販売しているレーザのうち、波長が213nm、266nm、532nmについて高出力化・高信頼化した次世代製品の開発を進めております。 製品開発の例開発中の製品期待される主な用途単結晶・デバイスGPS単結晶放射能汚染モニタリング、セキュリティ、石油探査、医用SPECT装置アイソレータ用単結晶５G・データセンタ通信用デバイスGaN用基板単結晶可視光レーザ、高周波デバイス、パワー半導体SiC単結晶パワー半導体蛍光体単結晶・デバイスレーザ照明、水銀ランプ代替、プロジェクタ光源量子通信デバイス量子もつれ光源モジュールレーザCW/QCW213nmレーザ半導体検査装置、最先端計測114nmレーザ光電子分光フェムト秒レーザ半導体、電子部品等のマイクロ加工、ディスプレイのリペアマスク描画用レーザフォトマスク、露光機

５【研究開発活動】 当事業年度の研究開発活動は、基盤技術開発と製品開発の二つの分野に区分されます。製品開発は、さらに、新製品開発と既存製品の改良開発に区分されます。基盤技術開発は、主として光計測・新領域事業において行っております。新製品開発は、主として光計測・新領域事業において、既存製品の改良開発は、光計測・新領域、半導体、ヘルスケアの各事業において行っております。独自開発のみならず、ユーザーや大学等との共同研究開発も積極的に進めております。 当事業年度における当社が支出した研究開発費の総額は315百万円であります。 当事業年度における各区分の主要な研究開発の概要は以下のとおりです。 なお、当社は、光学事業の単一セグメントでありますので、セグメント別の記載を省略しております。 (１）基盤技術開発 当社は、当社の保有するコアテクノロジ技術の深耕として、新たな特性を持つ単結晶材料の探索や、新たな単結晶育成技術の開発、レーザ光源の高出力化や短波長化の技術開発に取り組んでおります。 (２）製品開発 当社は、(１)の基盤技術開発を利用して、新製品開発、既存製品の改良開発に取り組んでおります。① 新製品開発 光学技術の応用分野は拡大を続けております。当事業年度は、単結晶においては、成長著しいパワー半導体分野(SiC単結晶、GaN用基板単結晶)に注力しております。レーザにおいては、次世代の半導体検査装置用213nmレーザや最先端の材料分析技術である光電子分光用114nmレーザの開発に注力しております。 ② 既存製品の改良開発 当社にて製品として販売しているレーザのうち、波長が213nm、266nm、532nmについて高出力化した次世代製品の開発を進めております。 製品開発の例開発中の製品期待される主な用途単結晶・デバイス単結晶固体電池材料医療用ボタン電池、自動車用電池GPS単結晶放射能汚染モニタリング、セキュリティ、石油探査、医用SPECT装置アイソレータ用単結晶５G・データセンタ通信用デバイスGaN用基板単結晶可視光レーザ、高周波デバイス、パワー半導体SiC単結晶パワー半導体蛍光体単結晶・デバイスレーザ照明、水銀ランプ代替、プロジェクタ光源レーザCW/QCW213nmレーザ半導体検査装置、最先端計測114nmレーザ光電子分光フェムト秒レーザ半導体、電子部品等のマイクロ加工、ディスプレイのリペアマスク描画用レーザフォトマスク、露光機